| 主权项 |
1.一种晶片封装结构,包括: 一封装基板,具有一承载表面,其中该承载表面上 具有多数个凹陷; 一晶片,配置于该承载表面上方; 多数个间隙物,形成于该晶片与该承载表面之间, 其中该些间隙物系对应配置于该些凹陷内,用以维 持该晶片与该封装基板之间距; 一黏着层,配置于该晶片与该承载表面之间,并包 覆该些间隙物;以及 多数条导线,电性连接该晶片与该封装基板。 2.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,其中 该些间隙物系呈块状。 3.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,其中 该些间隙物系呈条状。 4.如申请专利范围第3项所述之晶片封装结构,其中 该些条状间隙物构成至少一框体。 5.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,其中 该些间隙物包括多数个金属球。 6.如申请专利范围第5项所述之晶片封装结构,更包 括多数个金属层,其分别配置于该些凹陷内,用以 连接该些金属球与该封装基板。 7.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,更包 括一封装胶体,其包覆该些导线,并至少覆盖部份 之该封装基板与部份之该晶片。 8.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,其中 该间隙物之材质包括金属或防焊绿漆。 9.一种晶片封装制程,包括: 提供一封装基板,其中该封装基板具有一承载表面 ; 形成多数个凹陷于该承载表面上; 形成多数个间隙物于该承载表面上,且位于该些凹 陷内;以及 以打线方式接合一晶片于该封装基板之该承载表 面上,且该些间隙物系位于该晶片与该承载表面之 间。 10.如申请专利范围第9项所述之晶片封装制程,其 中形成该些间隙物的方法包括印刷或进行一微影 与/或蚀刻制程。 11.如申请专利范围第9项所述之晶片封装制程,其 中在打线接合该晶片与该封装基板之后,更包括形 成一封装胶体于该封装基板上,其中该封装胶体包 覆该些导线,并至少覆盖部份之该封装基板与部份 之该晶片。 12.如申请专利范围第9项所述之晶片封装制程,其 中形成该些间隙物的方法包括在该些凹陷内分别 配置一金属球。 13.如申请专利范围第12项所述之晶片封装制程,其 中在配置该些金属球之前,更包括在该些凹陷内分 别形成一金属层。 图式简单说明: 图1绘示习知之一种晶片封装结构的剖面示意图。 图2绘示本发明第一实施例之一种晶片封装结构的 剖面示意图。 图3绘示图2之晶片封装结构的局部俯视示意图。 图4A~4F依序绘示图2之晶片封装结构的封装制程示 意图。 图5绘示本发明第二实施例之一种晶片封装结构的 剖面示意图。 图6绘示为图5之晶片封装结构的局部俯视示意图 。 图7A~7D依序绘示图5之晶片封装结构的封装制程示 意图。 |
