| 发明名称 | 掺杂有较衬底原子扩散速度更慢原子的隔离层的半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括一重掺杂磷的硅衬底；一位于所述衬底上的隔离层，该隔离层用扩散系数小于硅衬底中磷的扩散系数的掺杂剂原子掺杂；一位于所述衬底上的外延层；以及一位于所述衬底上的器件层，且位于所述外延层及隔离层上。 | ||
| 申请公布号 | CN101023531A | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN200580016104.0 | 申请日期 | 2005.05.19 |
| 申请人 | 仙童半导体公司 | 发明人 | 王琪;安伯·克雷林－恩戈;侯赛因·帕拉维 |
| 分类号 | H01L29/76(2006.01) | 主分类号 | H01L29/76(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 缪利明 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，其特征在于，包括：一重掺杂磷的硅衬底；一位于所述衬底上的隔离层，该隔离层用扩散系数小于硅衬底中磷的扩散系数的掺杂剂原子掺杂；一位于所述衬底上的外延层；以及一位于所述衬底上的器件层，且位于所述外延层及隔离层上。 | ||
| 地址 | 美国缅因州 | ||