发明名称 微结构以及微机电系统的制造方法
摘要 本发明之目的在于减少为了形成微结构的空间而提供的牺牲层所使用的光罩的数目,藉以降低制造成本。藉由使用以相同光罩来予以图案化的光阻掩罩来形成牺牲层。在使用光阻掩罩进行蚀刻以形成第一牺牲层之后,藉由使用以相同光罩而形成图案的光阻掩罩进行蚀刻以形成第二牺牲层。使光阻掩罩其中之一的外部尺寸在其对应的牺牲层被蚀刻之前被增加或缩小而变形,举例而言,藉由增加或降低光阻掩罩的外部尺寸,可以形成大小不同的牺牲层。
申请公布号 TW200731336 申请公布日期 2007.08.16
申请号 TW095140056 申请日期 2006.10.30
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 立石文则;泉小波;山口真弓
分类号 H01L21/027(2006.01);H01L21/02(2006.01);B81B7/02(2006.01);G03F7/20(2006.01) 主分类号 H01L21/027(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本