发明名称 |
液晶显示装置的像素结构的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种液晶显示装置的像素结构的制造方法。该液晶显示装置的像素结构的制造方法包含:提供衬底,该衬底上形成有驱动单元预定区及显示区;在该衬底的该驱动单元预定区上形成图形化的不透光导电层,且同时在该衬底的该显示区上形成透光的像素电极;在该衬底上形成光阻保护层;利用背面曝光处理图形化该光阻保护层,以在图形化的不透光导电层之上形成图形化的光阻保护层,其中该背面曝光处理以该不透光的图案化导电层作为曝光掩模;以及对该光阻保护层进行烘烤处理,使该光阻保护层向四周回流,以使该光阻保护层完全覆盖该图形化的不透光导电层。本发明具有简化处理、大幅降低显示装置的生产成本及时间、提升生产量的效果。 |
申请公布号 |
CN101013242A |
申请公布日期 |
2007.08.08 |
申请号 |
CN200710008064.6 |
申请日期 |
2007.02.09 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
林祥麟 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/31(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01) |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
陈晨 |
主权项 |
1.一种液晶显示装置的像素结构的制造方法,至少包含下列步骤:提供衬底,该衬底上形成有驱动单元预定区及显示区;在该衬底之上形成图形化的第一导电层,以在该衬底的驱动单元预定区上形成栅极;在该衬底之上依序顺应性形成栅极绝缘层、半导体层、及第二导电层,并图形化该第二导电层、该半导体层及该栅极绝缘层,以形成图形化栅极绝缘层、图形化的半导体层及图形化的第二导电层覆盖该栅极;在该图形化的第二导电层及该衬底之上顺应性形成透明导电层,并图形化该透明导电层,其中该图形化透明导电层覆盖部分该图形化的第二导电层以及该衬底的显示区;以该图形化的透明导电层作为蚀刻掩模,进一步蚀刻该栅极上的该图形化的第二导电层以形成源极及漏极,其中该源极、漏极、图形化栅极绝缘层、半导体层、及该栅极构成薄膜晶体管;在该薄膜晶体管与该衬底之上顺应性形成保护层;以及利用背面曝光处理图形化该保护层,以在该薄膜晶体管之上形成图形化的保护层,其中该背面曝光处理以该图形化的第一导电层及图形化的第二导电层作为曝光掩模。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |