| 摘要 |
本发明是关于一种制作复合底材(4)的方法，其形式包含一薄的最终绝缘层(3)，其监置于一支撑底材(1)和一半导体材料活化层(20)之间。其特征系在于其包含：-在支撑底材(1)上形成或沈积一绝缘层(31)，以及在一源底材(2)上形成一绝缘层(32)；-电浆活化绝缘层至少其中之一；-利用其个别绝缘层之分子键结将两底材(1,2)键结在一起；以及-移除源底材(2)之背部(21)，仅保留活化层(20)；经由选择电浆活化能量值及绝缘层(31, 32)之个别厚度(e1, e2)，可使受活化的绝缘层仅为其上层部份，且该最终绝缘层(3)之厚度为50奈米(50 nm)或更小。 |
