密集山形鳍式场效电晶体及其制造方法

摘要

本发明揭示一种用于形成鳍式场效电晶体(finFET)的方法、结构、及对准程序。该方法包括：以第一遮罩界定finFET的第一鳍及以第二遮罩界定finFET的第二鳍。该结构包括单晶半导体材料的整体第一鳍及第二鳍，且第一鳍及第二鳍的纵向轴于相同晶向中对准但彼此偏移。该对准程序包括同时对准闸极遮罩上的对准标记与对准目标，该对准目标系分别由用来界定第一鳍的第一遮罩及用来界定第二鳍的第二遮罩所形成。