发明名称 半导体装置
摘要 一种防止形成有配线之电路部系邻接于受光部而形成之光检测器中,受光部的周缘部的层间绝缘膜变厚与受光面内的光感度不均匀之半导体装置,其中,在电路部74以邻接于受光部72之方式设置缓冲区域(区域140、138)。在缓冲区域中,为了抑制层间绝缘膜136的凹凸,使配置在配线132之间的平坦化垫134的密度,从区域142中的标准值,随着接近受光部72而阶段性地降低。藉由降低平坦化垫的密度,使层间绝缘膜136的表面高度降低,故受光部72和与其相邻接的区域138之间的阶梯差减小。藉此,抑制堆积在受光部72的周缘区域144的层间绝缘膜的厚度,并缩小区域144的宽度,故提高受光部72上的层间绝缘膜136的均匀性,并提高光感度的均匀性。
申请公布号 TW200729532 申请公布日期 2007.08.01
申请号 TW095143323 申请日期 2006.11.23
申请人 三洋电机股份有限公司 发明人 长谷川昭博;野村洋治
分类号 H01L31/105(2006.01);H01L27/14(2006.01);H01L27/02(2006.01) 主分类号 H01L31/105(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 日本