| 主权项 |
1.一种导线架,其特征在具备: 至少1个晶岛; 以包围上述晶岛之方式配置的一对第1连结条体及 第2连结条体; 由上述第1及第2连结条体延伸于上述晶岛附近的 复数导线; 使上述导线成为一体且以包围上述晶岛之方式配 置的系条;及 形成于上述第1及第2连结条体交叉区域附近的排 气口配置区域, 与位于树脂封装模具之模穴内之导线架之贯通孔 贯通,而贯通至前述排气口配置区域之第1排气口, 以及独立形成于上述第1排气口附近的第2排气口 。 2.如申请专利范围第1项之导线架,其中,上述排气 口配置区域与上述2条系条一体形成,且位于上述2 条系条的交叉区域附近。 3.如申请专利范围第1项之导线架,前述第1排气口 具有形成为比位于与上述模穴之境界之上述贯通 孔之宽度更狭窄之宽度W,上述第1排气口之以上述 宽度W延伸之长度L系形成为长于上述宽度W。 4.如申请专利范围第1或3项之导线架,其中,上述第1 排气口的一部份系包含于树脂封装体形成区域。 5.如申请专利范围第1或3项之导线架,其中,上述第2 排气口相较于上述第1排气口,系形成于与上述晶 岛距离较远的部位,且上述第1排气口与上述第2排 气口系介着形成于上述树脂封装模具的排气沟而 贯通。 6.如申请专利范围第1或3项之导线架,其中,上述第2 排气口系为将空气排出外部的孔。 7.一种树脂封装模具,其特征在具备:由上模及下模 构成,至少可收纳导线架及半导体元件且实质上为 六面体的模穴;及 具有形成于位于上述六面体的隅角部之上述上模 或上述下模的抵接面之排气沟。 8.如申请专利范围第7项之树脂封装模具,其中,于 上述隅角部的至少一端,形成有上述排气沟。 9.如申请专利范围第7或8项之树脂封装模具,其中, 于上述隅角部,由上述上模及下模所推压之上述导 线架上,形成有各自独立的第1排气口及第2排气口, 且上述第1及第2排气口系介着上述排气沟连结。 10.如申请专利范围第9项之树脂封装模具,其中,上 述排气沟系与上述模穴连接地形成,且位于上述第 1排气口的大致上面或下面。 11.如申请专利范围第9项之树脂封装模具,其中,在 由上模及下模构成的模穴中,包含有上述第1排气 口的一部份。 12.如申请专利范围第8项之树脂封装模具,其中,位 于上述模穴侧之上述排气沟的一端系形成于由上 述模穴区域分开的上述抵接面。 13.如申请专利范围第7项之树脂封装模具,其中,于 上述隅角部,由上述上模及下模所推压之上述导线 架上,形成有各自独立的第1排气口及第2排气口,且 上述隅角部的至少1端具有树脂充填注入口,位于 上述模穴侧之上述树脂注入口的一端系形成于由 上述模穴区域分开的上述抵接面,而上述树脂注入 口的一端与上述第1排气口系连接地形成。 14.如申请专利范围第7项之树脂封装模具,其中,与 上述模穴连接设置之上述抵接面的境界周边,系成 为上述上模之抵接面与上述下模之抵接面之分开 距离与上述导线架之厚度相等。 15.一种半导体装置之制造方法,其特征在具备下列 步骤:准备至少一体支持复数条导线,支持上述复 数条导线成为一体之系条,以及形成有与位于树脂 封装模具内之模穴之导线架之贯通孔连通之第1排 气口且载置半导体元件的导线架, 于树脂封装模具中收纳上述导线架,而该树脂封装 模具系具备:由上模及下模构成且实质上为六面体 的模穴;及位于上述六面体之隅角部之上述上模或 下模的抵接面之排气沟,而与上述模穴连接设置之 上述抵接面的境界周边系作成为上述上模之抵接 面与上述下模之抵接面之分开距离与上述导线架 之厚度相等; 令上述模穴内的空气经由上述第1排气口及上述排 气沟而排出于上述模穴外部,且使树脂充填于模穴 内而形成树脂封装体。 16.如申请专利范围第15项之半导体装置的制造方 法,其中,上述导线架具有与上述第1排气口分开,贯 通对应于上述第1排气口外侧之领域而形成之第2 排气口,且上述第1排气口与上述第2排气口系经由 上述排气沟连结。 17.如申请专利范围第15或16项之半导体装置的制造 方法,其中,上述第1排气口的另一端与上述模穴内 连接,且以树脂充填至少上述第1排气口。 18.如申请专利范围第15或16项之半导体装置的制造 方法,其中,上述导线架由上述树脂封装模具脱模 之后,至少上述第1排气口内的树脂会残留于该第1 排气口内,并且在将上述系条切断的步骤中,同时 去除上述第1及第2排气口。 19.如申请专利范围第15或16项之半导体装置的制造 方法,其中,上述导线架由上述树脂封装模具脱模 之后,连续进行将上述系条切断的步骤,以及将上 述导线弯折成所期望的形状的步骤。 20.如申请专利范围第15或16项之半导体装置的制造 方法,其中,上述导线上至少可形成有1层电镀层。 21.如申请专利范围第20项之半导体装置的制造方 法,其中,上述电镀层系以由Pd、Sn、Sn-Pb、Sn-Bi、Sn- Ag、Sn-Cu、Au-Ag、Sn-Ag-Su选择的组合来施行。 22.如申请专利范围第15项之半导体装置的制造方 法,其中,上述隅角部的至少1端具有树脂充填注入 口,位于上述模穴侧之上述树脂充填注入口的一端 系位于由上述模穴分开的上述抵接面,且上述树脂 充填注入口的一端与上述第1排气口相连接,以令 上述树脂由上述第1排气口充填于上述模穴内。 23.如申请专利范围第15项之半导体装置的制造方 法,其中,上述隅角部的至少1端具有树脂充填注入 口,位于上述模穴侧之上述树脂充填注入口及上述 排气沟的一端系位于由上述模穴分开的上述抵接 面,且上述树脂充填注入口的一端与上述第1排气 口相连接,并经由上述第1排气口将上述树脂充填 于上述模穴内,且经由上述第1排气口将上述空气 排出上述模穴。 图式简单说明: 第1图系说明本发明之导线架的平面图。 第2图系说明本发明之导线架的平面图。 第3图(A)至(C)系说明本发明之导线架的平面图。 第4图(A)及(B)系说明本发明第1实施型态之树脂封 装模具的图。 第5图系说明使用本发明第1实施型态之树脂封装 模具而形成的封装体之图。 第6图系说明使用本发明第1实施型态之树脂封装 模具而形成的封装体之图。 第7图(A)及(B)系说明本发明第2实施型态之树脂封 装模具的图。 第8图系说明使用于本发明第2实施型态之树脂封 装模具的导线架之图。 第9图系说明使用本发明第2实施型态之树脂封装 模具而形成封装体之图。 第10图(A)及(B)系说明本发明半导体装置之制造方 法的图。 第11图(A)及(B)系说明本发明半导体装置之制造方 法的图。 第12图系说明本发明半导体装置之制造方法的图 。 第13图系说明本发明半导体装置之制造方法的图 。 第14图系说明本发明半导体装置之制造方法的图 。 第15图(A)及(B)系说明本发明半导体装置之制造方 法的图。 第16图系说明习知半导体装置之制造方法的图。 第17图系说明习知半导体装置之制造方法的图。 第18图系说明习知半导体装置之制造方法的图。 |
