| 发明名称 | 用于形成具有鳍状结构的半导体元件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于形成具有鳍状结构的半导体元件的方法。所述方法包括：(a)在硅基板的上形成元件隔离膜，以界定有源区域；(b)蚀刻形成栅极的区域的硅基板以形成沟槽；(c)选择性地蚀刻沟槽边界的元件隔离膜，(d)在所产生的结构的整个表面的上形成栅极氧化膜；(e)在所产生的结构的整个表面的上沉积电极材料以形成一栅极电极；以及(f)在该栅极电极的侧壁的上形成栅极分隔物。 | ||
| 申请公布号 | CN1992201A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610077053.9 | 申请日期 | 2006.04.26 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金荣福 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种用于形成具有鳍状结构的半导体元件的方法，所述方法包括：(a)在硅基板的上形成元件隔离膜，以界定有源区域；(b)蚀刻所述有源区域的一个形成栅极的区域的硅基板，以形成沟槽；(c)选择性地蚀刻所述沟槽的边界的元件隔离膜；(d)在所述产生的结构的整个表面的上形成栅极氧化膜；(e)在所述产生的结构的整个表面的上沉积电极材料，以形成栅极电极；以及(f)在所述栅极电极的侧壁的上形成栅极分隔物。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||