| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 在半导体衬底上形成第1层布线层之后，在该第1层布线层上形成氮化硅膜。接着在氮化硅膜上形成第2层间绝缘膜，刻蚀该第2层间绝缘膜并使氮化硅膜露出后，通过用含氟气体刻蚀已露出的氮化硅膜来形成通路孔。接下来对已露出的第1铜层进行等离子体处理，除去含有含氟聚合物的污染物。然后在通路孔的内面堆积第2阻挡金属膜和第2铜层，而形成通路插头。由此提供一种通过从已露出的铜表面除去含有含氟聚合物的污染物，使铜表面处于形成自然氧化膜的状态，从而能够抑制铜的腐蚀的半导体装置的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1992200A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200710004041.8 | 申请日期 | 2003.09.23 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 田原贤治 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/321(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种具有半导体衬底的半导体装置制造方法，其特征在于，具有：准备在第1层间绝缘膜内具有铜布线的半导体装置的工序；在所述铜布线及所述第1层间膜上形成绝缘膜的工序；使用含氟气体的等离子体刻蚀所述绝缘膜，设置达到所述铜布线的开孔部的工序；在设置所述开孔部的工序之后，在暴露在大气中之前，对在所述开孔部底部上露出的所述铜布线表面进行等离子体处理，除去前期铜布线表面上的氟聚合物的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||