| 发明名称 | 波长为1053nm、高功率、窄线宽的信号源 | ||
| 摘要 | 一种波长为1053nm、高功率、窄线宽的信号源，构成为：采用光学平板封装的多模半导体激光器在泵浦源，采用线宽为10<SUP>－4</SUP>nm的1053nm的单纵模DFB激光器作弱信号种子光源，所述的多模半导体激光器的输出端与多模泵浦合束器的一个泵浦端相熔接，所述的DFB激光器经一低功率隔离器接该多模泵浦合束器信号端，该多模泵浦合束器的输出端尾纤与掺镱双包层光纤放大器的输入端熔接，该掺镱双包层光纤放大器的输出端经高功率光纤隔离器后由8度斜面跳线输出。本发明可作为窄线宽、高功率、单纵模、高信噪比、稳定性好的信号源，且由于是全光纤系统，故很容易封装，受环境影响较小。 | ||
| 申请公布号 | CN1988422A | 申请公布日期 | 2007.06.27 |
| 申请号 | CN200610118003.0 | 申请日期 | 2006.11.06 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 常丽萍;范薇;陈嘉琳;王利;孙安;李国扬 |
| 分类号 | H04B10/155(2006.01) | 主分类号 | H04B10/155(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一个波长为1053nm高功率、窄线宽的信号源，特征在于其构成：采用光学平板封装的多模半导体激光器(1)作泵浦源，采用线宽为10-4nm、波长为1053nm的DFB激光器(3)作弱信号光源，所述的多模半导体激光器(1)的输出端与多模泵浦合束器(2)的一个泵浦端相熔接，所述的DFB激光器(3)经一低功率隔离器(7)接该多模泵浦合束器(2)信号端，该多模泵浦合束器(2)的输出端尾纤与掺镱双包层光纤放大器(4)的输入端熔接，该掺镱双包层光纤放大器(4)经高功率光纤隔离器(5)后由8度斜面跳线(6)输出。 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||