| 主权项 |
1.一种处理基板的方法,该基板位于一电浆处理系 统中,包含: 将该基板放置于一处理槽中,该处理槽具有一用以 界定电浆空间之第一槽部分与一用以界定制程空 间之第二槽部分; 将第一气体导入该电浆空间中; 将第二气体导入该制程空间中; 利用一结合至该第一槽部分的电浆源,在该电浆空 间中由该第一气体形成电浆;以及 在该制程空间中形成用以处理该基板的制程化学 品,其系藉着设置一位于该第一槽部分与第二槽部 分之间的格栅,如此该电浆可由该电浆空间扩散至 该制程空间。 2.根据申请专利范围第1项之处理基板的方法,其中 该形成制程化学品步骤包含形成用以实施蚀刻制 程的制程化学品。 3.根据申请专利范围第1项之处理基板的方法,其中 该形成制程化学品步骤包含形成用以实施沉积制 程的制程化学品。 4.根据申请专利范围第1项之处理基板的方法,其中 该利用电浆源形成电浆的步骤包含利用一表面波 电浆(SWP)源来形成电浆。 5.根据申请专利范围第1项之处理基板的方法,其中 该导入第一气体的步骤包含导入一电浆形成气体 。 6.根据申请专利范围第1项之处理基板的方法,其中 该导入第一气体的步骤包含导入一惰性气体。 7.根据申请专利范围第1项之处理基板的方法,其中 该导入第一气体的步骤包含导入一稀有气体。 8.根据申请专利范围第1项之处理基板的方法,其中 该导入第二气体的步骤包含导入一制程气体,其用 以形成该制程化学品。 9.根据申请专利范围第1项之处理基板的方法,其中 该导入第二气体的步骤包含导入一含卤素气体。 10.根据申请专利范围第1项之处理基板的方法,其 中该导入第二气体的步骤包含导入一含CxFy气体, 其中x与y为大于或等于1的整数。 11.根据申请专利范围第10项之处理基板的方法,其 中该导入第二气体的步骤更包含导入一惰性气体 。 12.根据申请专利范围第1项之处理基板的方法,其 中连接该电浆空间与该制程空间包含在气体注入 格栅中形成一或多个通道。 13.根据申请专利范围第1项之处理基板的方法,其 中将第一气体导入电浆空间的步骤包含透过在该 格栅中的气体注入机制,将该第一气体注入该电浆 空间中。 14.根据申请专利范围第13项之处理基板的方法,其 中注入该第一气体包含透过气体注入格栅之多个 区域来注入该第一气体,以对该电浆进行空间性控 制。 15.根据申请专利范围第14项之处理基板的方法,其 中对该电浆进行空间性控制包含透过气体注入格 栅之多个区域来注入不同组成之第一气体,以对该 电浆进行空间性控制。 16.根据申请专利范围第14项之处理基板的方法,其 中对该电浆进行空间性控制包含透过气体注入格 栅之多个区域以不同气体流速注入第一气体,以对 该电浆进行空间性控制。 17.根据申请专利范围第14项之处理基板的方法,其 中对该电浆进行空间性控制包含从气体注入格栅 中同心图案之多个电浆区域导入第一气体。 18.根据申请专利范围第17项之处理基板的方法,其 中从该同心区域导入第一气体包含从同心矩形区 域导入第一气体。 19.根据申请专利范围第17项之处理基板的方法,其 中从该同心区域导入第一气体包含从同心圆形区 域导入第一气体。 20.根据申请专利范围第16项之处理基板的方法,其 中以不同气体流速注入第一气体包含在一制程配 方中对各个电浆区域设定一流速,该制程配方系用 以在该基板上产生实质均匀的制程。 21.根据申请专利范围第20项之处理基板的方法,其 中对各个电浆区域设定流速包含执行实验设计法 以决定流速的最佳组合,其用以在该基板上达成实 质均匀的制程。 22.根据申请专利范围第1项之处理基板的方法,其 中将第二气体导入制程空间的步骤包含透过在该 格栅中的气体注入机制,将该第二气体注入该制程 空间中。 23.根据申请专利范围第22项之处理基板的方法,其 中注入该第二气体包含透过气体注入格栅之多个 区域来注入该第二气体,以对该制程空间进行空间 性控制。 24.根据申请专利范围第23项之处理基板的方法,其 中对该制程空间进行空间性控制包含透过气体注 入格栅之多个区域来注入不同组成之第二气体,以 对该制程空间进行空间性控制。 25.根据申请专利范围第23项之处理基板的方法,其 中对该制程空间进行空间性控制包含透过气体注 入格栅之多个区域以不同气体流速注入第二气体, 以对该制程空间进行空间性控制。 26.根据申请专利范围第23项之处理基板的方法,其 中对该制程空间进行空间性控制包含从气体注入 格栅中同心图案之多个电浆区域导入第二气体。 27.根据申请专利范围第26项之处理基板的方法,其 中从该同心区域导入第二气体包含从同心矩形区 域导入第二气体。 28.根据申请专利范围第26项之处理基板的方法,其 中从该同心区域导入第二气体包含从同心圆形区 域导入第二气体。 29.根据申请专利范围第25项之处理基板的方法,其 中以不同气体流速注入第二气体包含在一制程配 方中对各个电浆区域设定一流速,该制程配方系用 以在该基板上产生实质均匀的制程。 30.根据申请专利范围第29项之处理基板的方法,其 中对各个电浆区域设定流速包含执行实验设计法 以决定流速的最佳组合,其用以在该基板上达成实 质均匀的制程。 31.根据申请专利范围第30项之处理基板的方法,更 包含使一温度控制流体流动通过该格栅,以控制格 栅的温度。 32.根据申请专利范围第31项之处理基板的方法,其 中使温度控制流体流动包含使该流体流动通过格 栅的多个区域,以对该电浆空间或制程空间中之至 少一者进行空间性控制。 33.根据申请专利范围第1项之处理基板的方法,其 中在该电浆空间中形成电浆的步骤包含利用一表 面波电浆(SWP)源,以由该第一气体形成电浆。 34.根据申请专利范围第33项之处理基板的方法,其 中利用SWP源包含调整该SWP源之槽孔天线中槽孔的 数目、分布、或尺寸中之至少一者,以控制电浆空 间中电浆之空间均匀性。 35.根据申请专利范围第33项之处理基板的方法,更 包含设置一盖板以保护该SWP源不受电浆破坏。 36.根据申请专利范围第33项之处理基板的方法,更 包含设置一与该SWP源结合之模式扰乱器,以抑制电 浆中的模式跳跃。 37.根据申请专利范围第36项之处理基板的方法,更 包含调整该模式扰乱器中之盲洞的尺寸、几何形 状、数目、或分布中之至少一者,以控制电浆空间 中电浆之空间均匀性。 38.一种处理基板的方法,该基板位于一电浆处理系 统中,包含: 将该基板放置于一处理槽中,该处理槽具有一用以 界定电浆空间之第一槽部分与一用以界定制程空 间之第二槽部分; 设置一气体注入格栅,其位于该第一槽部分与第二 槽部分之间; 由该气体注入格栅将第一气体导入该电浆空间中; 由该气体注入格栅将第二气体导入该制程空间中; 利用一结合至该第一槽部分的电浆源,在该电浆空 间中由该第一气体形成电浆;以及 在该制程空间中形成用以处理该基板的制程化学 品,其系藉着设置该位于该第一槽部分与第二槽部 分之间的气体注入格栅,如此该电浆可由该电浆空 间扩散至该制程空间。 图式简单说明: 图1为依据本发明一实施例之电浆处理系统的简化 示意图; 图2为依据一实施例,可用于图1所示之电浆处理系 统中的电浆源之简化示意图; 图3为依据另一实施例,可用于图1所示之电浆处理 系统中的另一电浆源之简化示意图; 图4为依据另一实施例,可用于图1所示之电浆处理 系统中的另一电浆源之简化示意图; 图5为依据另一实施例,可用于图1所示之电浆处理 系统中的另一电浆源之简化示意图; 图6为依据另一实施例,可用于图1所示之电浆处理 系统中的另一电浆源之简化示意图; 图7为依据再另一实施例,可用于图1所示之电浆处 理系统中的另一电浆源之简化示意图; 图8为依据再另一实施例,可用于图1所示之电浆处 理系统中的另一电浆源之简化示意图; 图9A与9B为电磁波在介质中传播的示意图; 图10为依据一实施例之处理槽的一部份之爆炸图; 图11为依据另一实施例之处理槽的一部份之爆炸 图; 图12为依据另一实施例之处理槽的一部份之爆炸 图; 图13为依据一实施例之气体注入格栅的上视图; 图14为依据另一实施例之气体注入格栅的上视图; 图15显示依据一实施例之操作电浆处理系统之方 法;以及 图16显示依据一实施例,在电浆处理系统中控制均 匀性之方法。 |
