| 发明名称 | 氮化物半导体激光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化物半导体激光元件及其制造方法。所述半导体激光元件包括：基板；设置在该基板表面的氮化物半导体层，该氮化物半导体层包括产生激光的有源层和防止有源层的恶化的防蒸镀层；形成在该氮化物半导体中以作为光限定区域的条形波导；由解理该氮化物半导体层而形成的镜面；和形成在该镜面的至少在该条形波导的一侧的沟槽，该沟槽形成为在该氮化物半导体层的表面具有开口的雕刻区域，该沟槽具有位于该防蒸镀层的附近的底表面。形成在镜面上的表面变形通过设置在该表面变形起始位置附近的该沟槽重置，从而防止了表面变形在发射激光的条形波导中形成。这使得高产率制造氮化物半导体激光元件成为可能。 | ||
| 申请公布号 | CN1983751A | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200610163101.6 | 申请日期 | 2006.11.30 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 川上俊之;山崎幸生;山本秀一郎 |
| 分类号 | H01S5/24(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01S5/24(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种氮化物半导体激光元件，包括：基板；设置在该基板表面的氮化物半导体层，该氮化物半导体层包括产生激光的有源层和防止有源层的恶化的防蒸镀层；形成在该氮化物半导体中以作为光限定区域的条形波导；由解理该氮化物半导体层而形成的镜面；和形成在该镜面的至少在该条形波导的一侧的沟槽，该沟槽形成为在该氮化物半导体层的表面具有开口的雕刻区域，该沟槽具有位于该防蒸镀层的附近的底表面。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||