矽/锗异质结构的长波长矽金属氧化半导体发光元件

摘要

本发明系提出一种具四族异质接面结构之发光元件的制造方法，该方法至少包含下列步骤：(1)提供一矽基板，其具有一第一表面与一第二表面；(2)于该第一表面上形成一薄锗层；(3)于该薄锗层上形成一覆盖层(caplayer)；(4)于该覆盖层上形成一氧化层；(5)于该氧化层上形成一第一导电层；(6)于该第二表面上形成一第二导电层；以及(7)分别于该第一与该第二导电层上形成一导电接线。利用上述制程所制作出来的金属氧化物半导体发光二极体具有能释放出近红外光波长之特性。