发明名称 积层电容器及其制造方法
摘要 本发明系有关可实现减低ESL之积层电容器。第1、第2端子电极,系隔着间隔具备在介电体基体的表面上第1外层通孔导体,系将各第1端子电极与第1内部电极连接。第2外层通孔导体,系将各第2端子电极与第2内部电极连接。第1内层通孔导体,系将多数之第1的内部电极互相连接。第2的内层通孔导体,系将多数之第2的内部电极互相连接。
申请公布号 TW200723324 申请公布日期 2007.06.16
申请号 TW095134712 申请日期 2006.09.20
申请人 TDK股份有限公司 发明人 富正明;安彦泰介
分类号 H01G4/30(2006.01) 主分类号 H01G4/30(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂;何秋远
主权项
地址 日本