相变化记忆体装置及其制造方法

摘要

一种相变化记忆体装置具有：一相变化层；一具有以一端点与相变化层相接触的加热电极；不同种材料之接触插栓，其具有由第一导电材料所制成且用来与加热电极之另一端点相接触的第一导电材料插栓、及由具有比电阻小于第一导电材料之第二导电材料所制成之第二导电材料插栓，第一导电材料插栓与第二导电材料插栓系堆叠于一个接触孔中，使加热电极与第二导电材料插栓以彼此相重叠之方式而彼此相接触；以及一电连接于第二导电材料插栓之导电层。