发明名称 用于整合有低K内金属介电质与蚀刻终止层之无电钴合金薄膜IMPROVING ADHESION AND MINIMIZING OXIDATION ON ELECTROLESS CO ALLOY FILMS FOR INTEGRATION WITH LOW K INTER-METAL DIELECTRIC AND ETCH STOP
摘要 在此揭露一种半导体基材之处理方法及设备,包括:沉积覆盖层于形成在基材上之导电材料上;减少氧化物形成在覆盖层上;以及接着沉积介电材料。本发明亦揭露一种半导体基材之处理方法及设备,包括:沉积覆盖层于基材上所形成之导电材料上;将覆盖层暴露于电浆;加热基材至高于约100℃;以及沉积一低介电常数材料。
申请公布号 TW200722543 申请公布日期 2007.06.16
申请号 TW095139775 申请日期 2006.10.27
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 方洪斌;韦德曼堤摩西;梅芳;王亚新;桑缪盖沙壮阿库玛;班却尔克里斯多夫D BENCHER, CHRISTOPHER D.;奈克曼呼
分类号 C23C14/16(2006.01);C23C14/54(2006.01);C23C16/455(2006.01) 主分类号 C23C14/16(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项
地址 美国