发明名称 |
用于整合有低K内金属介电质与蚀刻终止层之无电钴合金薄膜IMPROVING ADHESION AND MINIMIZING OXIDATION ON ELECTROLESS CO ALLOY FILMS FOR INTEGRATION WITH LOW K INTER-METAL DIELECTRIC AND ETCH STOP |
摘要 |
在此揭露一种半导体基材之处理方法及设备,包括:沉积覆盖层于形成在基材上之导电材料上;减少氧化物形成在覆盖层上;以及接着沉积介电材料。本发明亦揭露一种半导体基材之处理方法及设备,包括:沉积覆盖层于基材上所形成之导电材料上;将覆盖层暴露于电浆;加热基材至高于约100℃;以及沉积一低介电常数材料。 |
申请公布号 |
TW200722543 |
申请公布日期 |
2007.06.16 |
申请号 |
TW095139775 |
申请日期 |
2006.10.27 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
方洪斌;韦德曼堤摩西;梅芳;王亚新;桑缪盖沙壮阿库玛;班却尔克里斯多夫D BENCHER, CHRISTOPHER D.;奈克曼呼 |
分类号 |
C23C14/16(2006.01);C23C14/54(2006.01);C23C16/455(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/16(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
主权项 |
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地址 |
美国 |