| 发明名称 | 半导体器件离子注入的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件离子注入的方法，通过由外延硅生长的步骤将多次低能量离子注入分隔开，避免了在半导体制造过程中引入长时间高温热过程，从而也避免了离子注入分布的浓度向着非设计的发向分布、分界面产生多余电荷以及不同物质分界面断裂等问题的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN1979767A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200510111296.5 | 申请日期 | 2005.12.08 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈晓波 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/324(2006.01) | 主分类号 | H01L21/265(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件离子注入的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)第一次低能量离子注入；(2)在第一次注入硅基板位置做外延硅生长；(3)在新的硅基板平面做第二次低能量离子注入；(4)退火。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||