| 发明名称 | 氮化物半导体器件的肖特基电极及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于氮化物半导体器件的肖特基电极及其制作工艺，其具有高的势垒高度、低的漏电流性能和低电阻，并且热稳定。该氮化物半导体肖特基电极具有分层结构，该分层结构包括与氮化物半导体接触的铜(Cu)层和在铜(Cu)的上层上形成的第一电极材料。下述金属材料被用于第一电极材料，该金属材料具有比铜(Cu)的热膨胀系数低的热膨胀系数，并且在400℃或更高的温度下与铜(Cu)发生固相反应。 | ||
| 申请公布号 | CN1981381A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200580023067.6 | 申请日期 | 2005.07.08 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 宫本广信;中山达峰;安藤裕二;冈本康宏;葛原正明;井上隆;幡谷耕二 |
| 分类号 | H01L29/47(2006.01);H01L21/338(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L29/812(2006.01);H01L29/872(2006.01) | 主分类号 | H01L29/47(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种用于氮化物半导体器件的肖特基电极，其特征在于：所述肖特基电极具有分层结构，该分层结构包括与氮化物半导体接触的铜(Cu)层和在所述铜(Cu)层上形成的作为其上层的第一电极材料层，并且所述第一电极材料开始与铜(Cu)发生固相反应的温度是400℃或更高。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||