| 发明名称 |
藉由临限値电压之位准变化记忆资讯之不挥发性半导体记忆装置的写入方法 |
| 摘要 |
在此快闪记忆体中，在起始写入结束后(S1~S6)，将对应于写入对象的记忆单元(MC)的各位元线(GBL)预先充电，同时将对应于非写入对象的记忆单元(MC)的各位元线(GBL)放电，并进行验证，以检出临限值电压低的记忆单元(MC)(S7)，并在检出的记忆单元(MC)上进行追加写入(S8、S9)。因此，可不受在非写入对象的记忆单元(MC)上流动的电流影响而进行验证，并可正确地设定所有的记忆单元(MC)的临限值电压。 |
| 申请公布号 |
TW200721175 |
申请公布日期 |
2007.06.01 |
| 申请号 |
TW095126193 |
申请日期 |
2006.07.18 |
| 申请人 |
瑞萨科技股份有限公司 |
发明人 |
本毅;中山武志;小林真一;河野隆司 |
| 分类号 |
G11C16/02(2006.01);G11C16/06(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
