| 发明名称 | 蚀刻介电层形成接触窗和介层窗的方法以及镶嵌工艺 | ||
| 摘要 | 一种使用导电掩模蚀刻介电层的方法，首先提供介电层位于衬底上，形成图案化的导电掩模于介电层上并和衬底相接触，再利用图案化的导电掩模对介电层进行干蚀刻工艺，藉以利用导电掩模分散掉干蚀刻工艺所产生的电荷，故不会蓄积大量电荷在被干蚀刻的介电层上，进而可有效抑制介电层覆盖的金属内连线以及元件发生爆裂的情况。 | ||
| 申请公布号 | CN1967785A | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN200510120487.8 | 申请日期 | 2005.11.18 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 施惠绅 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种蚀刻介电层的方法，该介电层位于一衬底上方，该方法是先形成一图案化的导电掩模于该介电层上并与该衬底接触，再利用该图案化的导电掩模对该介电层进行一干蚀刻工艺，其中该干蚀刻工艺所产生的一电荷经由该图案化的导电掩模导入该衬底中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||