| 发明名称 | 半导体器件的制造方法、半导体器件、电路基板和电子设备 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法，具有贯通半导体基板的电极。它包括：从形成集成电路的半导体基板的有源面向上述半导体基板的内部形成凹部的工序；在上述凹部的内面形成第一绝缘层的工序；在上述第一绝缘层的内侧填充导电材料来形成电极的工序；蚀刻上述半导体基板的反面使上述第一绝缘层的前端部露出的工序；在上述半导体基板的反面形成第二绝缘层的工序；去除上述电极前端部的上述第一绝缘层和上述第二绝缘层以使上述电极的前端部露出的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1531027A | 申请公布日期 | 2004.09.22 |
| 申请号 | CN200410028755.9 | 申请日期 | 2004.03.15 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 宫泽郁也 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/60;H01L25/00;H01L23/48 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，具有贯通半导体基板的电极，包括：从形成有集成电路的半导体基板的有源面至上述半导体基板的内部形成凹部的工序；在上述凹部的内面形成第一绝缘层的工序；在上述第一绝缘层的内侧填充导电材料来形成电极的工序；蚀刻上述半导体基板的反面使上述第一绝缘层的前端部露出的工序；在上述半导体基板的反面形成第二绝缘层的工序；和去除上述电极前端部的上述第一绝缘层和上述第二绝缘层以使上述电极的前端部露出的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||