半导体元件及其形成方法

摘要

一种半导体元件，包括一基底、一金属间介电层(IMD)覆盖于该基底上、以及一含氮四乙氧基矽烷(TEOS)氧化层或一富含氧四乙氧基矽烷氧化层覆盖于该金属间介电层上。在该富含氧四乙氧基矽烷氧化层中氧的分子比例大于70百分比。该金属间介电层包括一超低介电常数层(ELK)。