晶圆表面氧化制程之方法

摘要

一种晶圆表面氧化制程之方法，为设有一可均匀将氧化物质布满于待行氧化作用的晶圆片表面，使当晶圆片上特定区域被覆盖住情形下，藉由氧化物质均喷设备以对晶圆片欲氧化加工区域施喷，均喷设备于上端设有喷头，藉由旋转装置承载该晶圆片，使晶圆片相对于喷头为中心可产生公转运行路径之相对运动，且于公转运行过程中晶圆片亦自发产生自转之运行能力，使得氧化物质作用于欲氧化加工区域表面呈均匀之分布，达到晶圆之氧化深度程度控制为一致。