| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底，在其表面上具有元件区；形成于所述元件区中的电气元件；形成在所述半导体衬底上和覆盖所述电气元件的绝缘层；以及形成在所述绝缘层上和与所述元件区交叠的电感器。 | ||
| 申请公布号 | CN1945834A | 申请公布日期 | 2007.04.11 |
| 申请号 | CN200610143511.4 | 申请日期 | 2004.06.11 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 村松良德;中柴康隆 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01);H03B5/12(2006.01) | 主分类号 | H01L27/06(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，在其表面上具有元件区；形成于所述元件区中的电气元件；形成在所述半导体衬底上和覆盖所述电气元件的绝缘层；以及形成在所述绝缘层上和与所述元件区交叠的电感器。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||