相变温度可调的氧化钒薄膜的制备方法

摘要

本发明提供了一种相变温度可调的氧化钒薄膜的制备方法，包括：在硅片上沉积氧化硅薄膜、氮化硅薄膜；采用离子束反应溅射法沉积氧化钒薄膜，工艺条件为：背底真空4×10^-4Pa～3×10^-3Pa，氧气压强6×10^-4Pa～8×10^-3Pa，氩气压强1×10^-2Pa～2.3×10^-2Pa，离子束流功率8W～60W，衬底温度120℃～450℃，溅射时间10～45分钟，靶材为钒靶；对样片进行退火处理，工艺条件为：气体为氩气或氮气，退火温度250℃～580℃，退火时间20～240分钟，得到相变的氧化钒薄膜。由本发明制备的氧化钒薄膜具有不同的相变温度点，可作成适用于不同温度的开关；保证温度控制操作时的高质量、高速度、高响应率。

主权项

1.一种相变温度可调的氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：(1)在硅片上先沉积一层氧化硅薄膜，再沉积一层氮化硅薄膜；(2)采用离子束反应溅射法，在上述氮化硅薄膜上沉积氧化钒薄膜，离子束反应溅射工艺条件为：背底真空4×10-4Pa～3×10-3Pa，氧气压强6×10-4a～8×10-3Pa，氩气压强1×10-2Pa～2.3×10-2Pa，离子束流功率8W～60W，衬底温度120℃～450℃，溅射时间10～45分钟，溅射采用的靶材为钒靶；(3)取出沉积氧化钒薄膜的样片，进行退火处理，退火工艺条件为：气体为氩气或氮气，退火温度250℃～580℃，退火时间20～240分钟，得到相变的氧化钒薄膜。