| 主权项 |
1.一种半导体装置,其为具有半导体元件,与 搭载前述半导体元件之基板,与 设置于前述半导体元件与前述基板间,以电路连接 前述半导体元件与前述基板之半导体元件连接构 件之半导体装置,其特征为,前述半导体元件连接 构件,为含有热塑性树脂,与自由基聚合性化合物, 与1分钟半衰期温度为90至145℃之第1自由基聚合起 始剂,与1分钟半衰期温度为150至175℃之第2自由基 聚合起始剂之黏着剂组成物之硬化物。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,前述 黏着组成物之自由基聚合性化合物为于分子内具 有2个以上之(甲基)丙烯醯基者。 3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,前述 黏着组成物之第1自由基聚合起始剂与前述第2自 由基聚合起始剂,皆为分子量180至1000之过氧化酯 衍生物。 4.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置 ,其中,相对于前述黏着剂组成物之前述热塑性树 脂100质量份,前述自由基聚合性化合物为含有50至 250质量份,且前述第1自由基聚合起始剂与前述第2 自由基聚合起始剂各自含有0.05至30质量份。 5.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置 ,其于前述黏着剂组成物中,尚含有导电性粒子。 6.如申请专利范围第4项之半导体装置,其于前述黏 着剂组成物中,尚含有导电性粒子。 7.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中,相对 于前述黏着剂组成物之前述热塑性树脂100质量份, 前述导电性粒子为含有0.5至30质量份。 图式简单说明: 图1:本发明之电路构件之连接结构之一实施形态 之概略截面图。 图2:本发明之半导体装置之一实施形态之概略截 面图。 |
