| 主权项 |
1.一种使用潜像的对准之方法,该方法包含: 侦测在一基板上的一潜像之位置; 根据该侦测的潜像之位置重新定位该基板;以及 图案化该基板。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,更包含: 在侦测该潜像的位置之前,在一图案化系统中初始 地对准该基板。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中侦测该潜 像的位置包含侦测在该基板上该潜像与另一特征 之间的一重叠错误。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中侦测该潜 像的位置包含: 以一探针式电磁辐射照明该潜像与一对准标记;以 及 侦测该探针式电磁辐射、该潜像与该对准标记之 间的一交互作用。 5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中侦测该交 互作用包含侦测脱离自该潜像以及该对准标记的 该探针式电磁辐射之一散射。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中侦测该散 射包含: 侦测相对于该基板的一第一位置上之一第一散射; 以及 侦测相对于该基板的一第二位置上之一第二散射 。 7.如申请专利范围第4项所述之方法,更包含控制该 探针式电磁辐射之位置与传播方向的至少之一。 8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中控制该位 置与该传播方向的至少之一包含改变反射该探针 式电磁辐射的一反射镜之位置。 9.如申请专利范围第1项所述之方法,更包含使用一 超紫外光(EUV)来暴露该基板上的一光敏材料,以形 成该潜像。 10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中侦测该 潜像的位置包含以一电磁辐射照明该潜像,该电磁 辐射具有较该超紫外光(EUV)的波长为长的一波长 。 11.一种使用潜像的对准之系统,该系统包含: 一基板定位装置,用以支承与定位一基板; 一曝光电磁辐射源,用以产生一曝光辐射,以暴露 在一受支承基板上的一能量敏感材料; 一探针式电磁辐射源,用以产生一探针式电磁辐射 ,以与在一受支承基板上的一潜像交互作用; 一侦测器,用以侦测该电磁辐射与该潜像的该交互 作用;以及 一定位讯号产生器,用以产生引导该基板定位装置 的一讯号,以依据该电磁辐射与该潜像之间的已侦 测的交互作用而重新定位一受支承基板。 12.如申请专利范围第11项所述之系统,其中该探针 式电磁辐射源包含一雷射光源。 13.如申请专利范围第11项所述之系统,其中该侦测 器包含一散射计,用以侦测藉由该潜像与一对准标 记之该电磁辐射的一散射。 14.如申请专利范围第11项所述之系统,其中该定位 讯号产生器包含一开回路控制系统。 15.如申请专利范围第11项所述之系统,其中该基板 定位装置包含: 一晶圆卡盘;以及 一转换平台。 16.如申请专利范围第11项所述之系统,更包含该受 支承基板,该基板包含该潜像与一对准标记。 17.一种待对准的装置,该装置包含: 一基板,其包含一能量敏感介质,该基板包含: 在该能量敏感介质中的一潜像,以及 在该能量敏感介质外部的一对准标记, 该潜像和该对准标记与一探针式电磁辐射交互作 用。 18.如申请专利范围第17项所述之装置,其中该潜像 配置在该基板上的该对准标记上方。 19.如申请专利范围第17项所述之装置,其中该潜像 与该对准标记包含重覆的图案,以散射该探针式电 磁辐射。 20.如申请专利范围第19项所述之装置,其中该些重 覆的图案包含一系列交替的直线与间隔,其具有一 相同的间距与一不同的中央平面。 21.如申请专利范围第19项所述之装置,其中该些重 覆的图案各自包含具有至少二不同间距的特征。 22.如申请专利范围第17项所述之装置,其中该能量 敏感介质包含至少两个以不同方向定向的潜像。 23.如申请专利范围第17项所述之装置,更包含配置 在该潜像与该对准标记之间的一至少部分透明层 。 24.如申请专利范围第17项所述之装置,其中该能量 敏感介质更包含一未曝光区域,用于藉由一曝光能 量而曝光。 25.如申请专利范围第17项所述之装置,其中: 该基板包含晶粒部分;以及 该潜像配置在晶粒部分之间。 26.如申请专利范围第1项所述之方法,其中侦测该 潜像的位置包含侦测位于一反射式曝光系统中的 一基板上之该潜像的位置。 27.如申请专利范围第11项所述之系统,其中该系统 包含一反射式曝光系统。 图式简单说明: 第1图显示用以图案化一基板的系统。 第2图显示用以图案化一基板的系统,其包含一潜 像对准系统。 第3图显示探针式辐射的侦测器之实施方式。 第4与5图显示潜像与对准标记如何可以定位于基 板上的一实施方式。 第6至9图显示潜像以及由以上的对准标记之布局 的例子。 第10图系为使用潜像之对准制程的流程图。 第11图显示使用一散射计与一光栅潜像所得的临 界尺寸(CD)剖面之例子。 |
