发明名称 检测治具及其检测电容的方法
摘要 一种用以检测出并联电容群中漏电流电容的检测治具,其包括有:参考电压产生器、阻抗转换器、比较器与显示单元。其中,参考电压产生器可用以输出第一电压,且阻抗转换器可用以将并联电容群之阻抗转换成第二电压。比较器分别耦接至参考电压产生器与阻抗转换器之输出,用以比较第一电压与第二电压的大小。另外,显示单元耦接于比较器之输出,其中藉由加热并联电容群中之电容而改变第二电压,而比较器对应于第二电压之改变输出电压差,以使显示单元显示对应的电容是否有漏电流。
申请公布号 TWI276810 申请公布日期 2007.03.21
申请号 TW095101430 申请日期 2006.01.13
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 吕佩谚
分类号 G01R19/165(2006.01) 主分类号 G01R19/165(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种检测治具,用以检测出并联电容群中一漏电 流电容,该检测治具包括: 一参考电压产生器,用以输出一第一电压; 一阻抗转换器,用以将并联电容群之阻抗转换成一 第二电压; 一比较器,分别耦接于该参考电压产生器与该阻抗 转换器之输出,用以比较该第一电压与该第二电压 ;以及 一显示单元,耦接于该比较器之输出,其中藉由加 热并联电容群中之一电容以改变该第二电压,而该 比较器对应于该第二电压之改变输出一电压差,以 使该显示单元对应显示该电容是否有漏电流。 2.如申请专利范围第1项所述之检测治具,其中该参 考电压产生器具有一第一分压电路,而该阻抗转换 器具有一第二分压电路,且该第一分压电路与该第 二分压电路构成一电桥。 3.如申请专利范围第2项所述之检测治具,其中该第 一分压电路具有一可变电阻,用以调整该第一电压 。 4.如申请专利范围第1项所述之检测治具,其中该显 示单元具有一运算放大器,耦接于该比较器之输出 ,该运算放大器回应于该电压差产生一负电压输出 。 5.如申请专利范围第4项所述之检测治具,其中该显 示单元还具有一发光二极体,该发光二极体之阳极 接地,而阴极耦接至该负电压输出。 6.如申请专利范围第4项所述之检测治具,更包括一 校正电压产生器,耦接于该运算放大器之输入端, 用以产生一校正电压。 7.如申请专利范围第6项所述之检测治具,其中该校 正电压产生器具有一可变电阻,用以调整该校正电 压。 8.如申请专利范围第7项所述之检测治具,更包括一 开关,用以接通该可变电阻至该运算放大器之输入 端。 9.一种检测电容的方法,包括下列步骤: 产生一第一电压; 将并联电容群之阻抗转换成一第二电压,并输出该 第二电压至一比较器; 该比较器接收该第一电压与该第二电压,并输出至 一显示单元;以及 加热并联电容群中之一电容以改变该第二电压,而 该比较器对应于该第二电压之改变输出一电压差, 以使该显示单元对应显示该电容是否有漏电流。 10.如申请专利范围第9项所述之检测电容的方法, 其中该第一电压与该第二电压系以一电桥分压而 成。 11.如申请专利范围第10项所述之检测电容的方法, 其中该电桥系以一可变电阻来调整该第一电压。 12.如申请专利范围第9项所述之检测电容的方法, 其中该显示单元系以一运算放大器接收该电压差, 并对应产生一负电压输出。 13.如申请专利范围第12项所述之检测电容的方法, 其中该显示单元系以一发光二极体耦接该负电压 输出,以显示检测结果。 14.如申请专利范围第12项所述之检测电容的方法, 其中该运算放大器系以一可变电阻来校正输入端 的电压。 15.如申请专利范围第14项所述之检测电容的方法, 其中该可变电阻系以一开关接通至该运算放大器 之输入端。 图式简单说明: 图1绘示依据本发明之一实施例之检测治具之电路 架构图。 图2绘示依据本发明之一实施例之检测电容的方法 流程图。
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号