| 主权项 |
1.一种用于半导体元件的熔丝,包括: 一第一导体与一第二导体;以及 一迂回熔丝线在该第一导体与该第二导体间延伸 。 2.如申请专利范围第1项所述之用于半导体元件的 熔丝,其中该迂回熔丝线之形状系择自蛇纹状( serpentine)、锯齿状(saw)、绕曲状(winding)、曲线状( curved)、正弦状(sinuous)与扭转状(twisted)。 3.如申请专利范围第1项所述之用于半导体元件的 熔丝,其中该导体系用于连接该迂回熔丝与一下方 电路区。 4.如申请专利范围第1项所述之用于半导体元件的 熔丝,其中该迂回熔丝线具有一迂回部分,该迂回 部分之宽度较小。 5.如申请专利范围第1项所述之用于半导体元件的 熔丝,其中该熔丝线延伸过一介电质。 6.如申请专利范围第5项所述之用于半导体元件的 熔丝,其中藉由一雷射将该熔丝线移除会在该介电 质中留下一迂回沟槽。 7.如申请专利范围第1项所述之用于半导体元件的 熔丝,其中该迂回熔丝线系由至少一金属或一金属 合金形成。 8.如申请专利范围第1项所述之用于半导体元件的 熔丝,其中该第一导体与该第二导体各至少由一金 属、一金属合金与多晶矽形成。 9.如申请专利范围第1项所述之用于半导体元件的 熔丝,尚包括一熔丝窗口位于该熔丝上。 10.如申请专利范围第1项所述之用于半导体元件的 熔丝,其中该熔丝包括一雷射熔丝。 11.一种用于半导体元件的熔丝结构,包括: 一熔丝阵列,该阵列之至少一熔丝,包括: 一第一导体与第二导体;以及 一迂回熔丝线在该第一导体与该第二导体间延伸 。 12.如申请专利范围第11项所述之用于半导体元件 的熔丝结构,其中该迂回熔丝线之形状系择自蛇纹 状(serpentine)、锯齿状(saw)、绕曲状(winding)、曲线 状(curved)、正弦状(sinuous)与扭转状(twisted)。 13.如申请专利范围第11项所述之用于半导体元件 的熔丝结构,其中该导体系用于连接该熔丝与一下 方电路区。 14.如申请专利范围第11项所述之用于半导体元件 的熔丝结构,其中该迂回熔丝线具有一迂回部分, 该迂回部分之宽度较小。 15.如申请专利范围第11项所述之用于半导体元件 的熔丝结构,其中该熔丝线延伸过一介电质。 16.如申请专利范围第15项所述之用于半导体元件 的熔丝结构,其中藉由一雷射将该熔丝线移除会在 该介电层中留下一迂回沟槽。 17.如申请专利范围第11项所述之用于半导体元件 的熔丝结构,其中该迂回熔丝线系由至少一金属或 一金属合金形成。 18.如申请专利范围第11项所述之用于半导体元件 的熔丝结构,其中该第一导体与该第二导体各至少 由一金属、一金属合金与多晶矽形成。 19.如申请专利范围第11项所述之用于半导体元件 的熔丝结构,尚包括一熔丝窗口位于该熔丝上。 图式简单说明: 第1图为先前技艺雷射熔丝结构上视图。 第2A图为第1图之先前技艺熔丝结构在以雷射处理 前的上视图。 第2B图为第2A图之先前技艺熔丝结构在以雷射处理 后的上视图。 第2C图为第2B图之先前技艺熔丝结构的上视图,用 以说明笔直的先前技艺扩散路径在退火后之可靠 度测试与评估时所发生的现象。 第3图为本发明实施例的上视图,显示雷射熔丝结 构被护环结构所环绕。 第4图为第3图雷射熔丝结构轴1的剖面图。 第5A图为第3图熔丝结构在以雷射处理前的上视图 。 第5B图为第5A图熔丝以雷射处理后的上视图。 第5C图为第5B图熔丝的上视图,用以说明迂回扩散 路径在退火后之可靠度测试与评估时所发生的现 象。 |
