| 主权项 |
1.一种热管烧结技术用之离型组合物,系包含: 1~45%氮化硼;及 1~45%结合剂。 2.如申请专利范围第1项所述之离型组合物,其中前 述氮化硼比例系为1~20%。 3.如申请专利范围第1项所述之离型组合物,其中前 述结合剂比例系为1~20%。 4.如申请专利范围第1项所述之离型组合物,其中前 述结合剂系包含磷酸盐类、矽酸盐类、黏土、水 玻璃或其混合物。 5.如申请专利范围第1项所述之离型组合物,其系可 进一步包含一液态载体。 6.如申请专利范围第5项所述之离型组合物,其中前 述液态载体系为水。 7.如申请专利范围第1项所述之离型组合物,其系可 进一步包含0.1~5%分散剂。 8.如申请专利范围第7项所述之离型组合物,其中前 述分散剂系包含烷基硫酸盐,四级铵盐,聚氧乙烯 烷基醚,N,N-二烷基胺基烯羧酸盐或其混合物。 9.一种热管烧结的方法,其步骤包含: 提供一离型组合物; 将前述离型组合物与一金属棒表面接触形成薄膜; 将前述表面具有离型组合物之金属棒置于中空铜 管中; 取一铜粉材料填入前述金属棒与中空铜管之间隙 中; 将前述具有金属棒及填充有铜粉之中空铜管进行 高温烧结;及 移除金属棒,即可制得内壁具毛细结构之中空铜管 ; 前述方法之特征在于:前述离型组合物系包含1~45% 氮化硼及1~45%结合剂。 10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中前述薄 膜之形成方法系将前述离型组合物喷涂或刷涂于 前述金属棒表面后将该金属棒加热至200℃以上。 11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中前述薄 膜之形成方法系将前述金属棒浸入前述离型组合 物后再取出加热至200℃以上。 12.如申请专利范围第10或11项所述之方法,其中前 述金属棒系加热至250℃以上。 13.如申请专利范围第9项所述之方法,其中前述薄 膜之形成方法系可进一步将金属棒先行预热。 14.如申请专利范围第9项所述之方法,其中前述氮 化硼比例系为1~20%。 15.如申请专利范围第9项所述之方法,其中前述结 合剂比例系为1~20%。 16.如申请专利范围第9项所述之方法,其中前述结 合剂系包含磷酸盐类、矽酸盐类、黏土、水玻璃 或其混合物。 17.如申请专利范围第9项所述之方法,其中前述离 型组合物进一步包含一液态载体。 18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中前述液 态载体系为水。 19.如申请专利范围第9项所述之方法,其中前述离 型组合物系可进一步包含一0.1~5%之分散剂。 20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中前述分 散剂系包含烷基硫酸盐,四级铵盐,聚氧乙烯烷基 醚,N,N-二烷基胺基烯羧酸盐或其混合物。 21.如申请专利范围9项所述之方法,其系可进一步 包含一移除金属棒前可进一步包含一回温程序。 22.如申请专利范围第21项所述之方法,其中前述回 温程序之温度系回温至室温。 图式简单说明: 第一A图系为烧结前未涂布本发明之含氮化硼之离 型组合物之细钢棒影像图。 第一B图系为烧结前涂布本发明之含氮化硼之离型 组合物之细钢棒影像图。 第二A图系为未涂布本发明之含氮化硼之离型组合 物之细钢棒烧结后由铜管抽出后之影像图。 第二B图系为涂布本发明之含氮化硼之离型组合物 之细钢棒烧结后由铜管抽出后之影像图。 |
