| 主权项 |
1.一种半导体元件制造方法,其包含: 提供一第一层在一晶圆基材上; 提供一多晶矽层于该第一层上; 植入氮离子于该多晶矽层上; 形成一金属多晶矽化物层于该多晶矽层上;以及形 成源极和汲极区。 2.如请求项1所述之方法,其中该第一层包含一二氧 化矽层。 3.如请求项1所述之方法,更包含移除形成于该多晶 矽层上的原生氧化层。 4.如请求项3所述之方法,其中移除原生氧化层的步 骤包含以稀释之氢氟酸溶液清除。 5.如请求项1所述之方法,其中形成一金属多晶矽化 物层的步骤包含沉积一金属层于该多晶矽层上,并 使该多晶矽层退火。 6.一种半导体元件制程之方法包含: 定义一晶圆基材; 提供一第一层于该晶圆基材上; 形成一第二层于该第一层上; 植入氮离子于该第二层内; 形成一金属矽化物层于该第二层上; 提供一光阻层在该金属矽化物层上; 定义该光阻层图形; 蚀刻该金属矽化物层及该第二层以至少形成一闸 极,而 该一闸极至少含有一侧壁; 移除该光阻层; 植入一杂质于晶圆基材中以定义源极和汲极;以及 沿着该至少一闸极之该侧壁形成至少一间隙壁。 7.如请求项6所述之方法,更包含一清除步骤,以移 除该第二层上形成之原生氧化层。 8.如请求项6所述之方法,其中该第二层包含多晶矽 组成。 9.如请求项6所述之方法,更包含一源极/汲极氧化 步骤,使驱该杂质更深入该基材。 10.如请求项6所述之方法,更包含形成该至少一间 隙壁后再氧化。 11.如请求项6所述之方法,其中形成一金属矽化物 层的步骤包含沉积一金属层于该第二层上和该第 二层之退火。 图式简单说明: 第一图至第四图为制程剖面图,与本发明之一实施 例一致。 |
