处理氮化物半导体晶体之方法

摘要

本发明系关于一种处理晶体之方法，在该方法中，当氮化物半导体晶体(1)经处理时，将电压施加于氮化物半导体晶体(1)与工具电极(3)之间以产生放电，使得藉由该放电所产生之局部热而部分移除及处理该晶体。