制造有机金属化合物的方法

摘要

本发明系有关制造式H3Al：Ln所代表有机金属化合物之方法，其中L为一或多种能够提供一未共有电子对给铝之路以士硷(Lewis bases)且n为1或2，该方法包括(a)形成氢化铝硷金属和路以士硷在醚系溶剂中的第一种溶液；(b)在足以产生包含该有机金属化合物的第二种溶液之反应条件下于该第一种溶液添加卤化铝／醚系溶剂，以及(c)从该第二种溶液分离出该有机金属化合物。该有机金属化合物可用于半导体应用中作为膜沉积所用的化学气相或原子层沉积先质。