| 摘要 |
本发明之实施例提供一种具有减少之蚀刻速率微负载效应的改良型矽化钨蚀刻处理。在一实施例中，提供一种形成在基板上之层的蚀刻方法。该方法包含：将一基板提供至电浆处理室中，该基板具有金属矽化物层形成于其上以及一图型化之遮罩设置于该金属矽化物层上方。本方法亦包含：将包含含氟气体、含氯气体、含氮气体及含氧气体之蚀刻气体混合物供给至电浆处理室，其中含氮气体对含氟气体的比例介于约5至约15。此外，本方法包含：使用所供给之蚀刻气体混合物在电浆处理室中产生电浆，以蚀刻未受到图型化遮罩覆盖之区域中的金属矽化物层，该图型化遮罩定义出密集区及孤立区，其中所产生之电浆系用于以降低之蚀刻速率微负载移除密集区及孤立区中的金属矽化物层。 |
