发明名称 |
单芯片功率放大器和包络调制器 |
摘要 |
RF极性调制电路具有自补偿温度稳定包络控制器和自补偿温度稳定功率放大器偏置。该电路具有带预失真补偿能力的自适应电流-电压调制接口。对于包络相关功率放大器晶体管偏置来补偿AM/PM失真。对高于或低于标称负载的RF负载提供自动补偿。本摘要是根据要求摘要使研究人员或其他读者可以快速确定技术公开的主题的规章而提供的。应当理解,提交本摘要并不是要用于解释或限定权利要求的范围或含意。 |
申请公布号 |
CN1914791A |
申请公布日期 |
2007.02.14 |
申请号 |
CN200480041200.6 |
申请日期 |
2004.12.02 |
申请人 |
艾利森电话股份有限公司 |
发明人 |
P·-O·布兰特;J·帕森 |
分类号 |
H03F1/30(2006.01);H03F1/32(2006.01);H03F1/02(2006.01) |
主分类号 |
H03F1/30(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
杨凯;刘杰 |
主权项 |
1.一种在单芯片上实现具有自补偿温度稳定功率放大器和自补偿温度稳定幅度调制器的射频极性调制电路的方法,所述方法包括:向所述极性调制电路提供包络调制电流以补偿温度偏移;把所述包络调制电流转换为包络调制电压;向所述幅度调制器提供所述包络调制电压;采用所述幅度调制器来调制所述功率放大器的电源;以及把所述功率放大器的最大输出功率限制为小于或等于用于给定包络调制电流的预定值。 |
地址 |
瑞典斯德哥尔摩 |