非挥发性记忆体的制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体的制造方法，系先于基底上依序形成第一介电层与虚拟闸极层。然后，定义虚拟闸极层以形成多个虚拟闸极。接着，以虚拟闸极为罩幕，于基底中形成一掺杂区。之后，于对应掺杂区之第一介电层上形成第二介电层。继之，移除虚拟闸极层，暴露出部分第一介电层表面。随后，于基底上方形成一导体层，以覆盖第二介电层与第一介电层。