发明名称 高电压开关电路
摘要 本发明系揭示一种半导体装置之高电压开关电路,其可藉由在一用于对高电压放电之放电单元中将一高于电源电压之电压供应至一放电电晶体之闸极端子来减少放电时间。
申请公布号 TWI272615 申请公布日期 2007.02.01
申请号 TW093119271 申请日期 2004.06.30
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 金英珠
分类号 G11C16/06(2006.01) 主分类号 G11C16/06(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种高电压开关电路,其包括: 一放电节点; 一用于根据一高电压传输启用讯号及一时钟讯号 来切换一外部高电压的高电压开关单元; 一用于根据该放电节点来对一作为自该高电压开 关单元之输出的高电压放电之第一NMOS电晶体; 一用于根据该高电压传输启用讯号来将一电源电 压传输至该放电节点的电源电压传输单元; 一用于根据该高电压传输启用讯号来控制该放电 节点之一电压的第二NMOS电晶体;及 一用于根据该高电压传输启用讯号及该时钟讯号 来将该放电节点之电压增加一预定水平的电压泵 送单元。 2.如申请专利范围第1项之电路,其中该电源电压传 输单元包含串联连接于该电源电压与该放电节点 之间的一PMOS电晶体与一第三NMOS电晶体。 3.如申请专利范围第2项之电路,其中根据该高电压 传输启用讯号来驱动该PMOS电晶体,且根据通过该 PMOS电晶体而传输之该电源电压来驱动该第三NMOS 电晶体。 4.如申请专利范围第1项之电路,其中该电压泵送单 元包含: 一用于将该高电压传输启用讯号反相之反相器; 一用于对自该反相器之输出与该时钟讯号进行「 反及」(NAND)操作的「反及」(NAND)闸;及 一耦接于电容器从而用于根据自该「反及」(NAND) 闸之输出来将该放电节点之电压增加该预定水平 的第四NMOS电晶体。 5.一种高电压开关电路,其包括: 一放电节点; 一用于根据一高电压传输启用讯号与一时钟讯号 来切换一外部高电压的高电压开关单元; 一用于根据该放电节点来对一作为自该高电压开 关单元之输出的高电压放电的第一NMOS电晶体; 一用于根据该高电压传输启用讯号来将一电源电 压传输至该放电节点的电源电压传输单元,其中该 电源电压传输单元包含串联连接于该电源电压与 该放电节点之间的一PMOS电晶体与一第三NMOS电晶 体; 一用于根据该高电压传输启用讯号来控制该放电 节点之一电压的第二NMOS电晶体;及 一用于根据该高电压传输启用讯号与该时钟讯号 来将该放电节点之电压增加一预定水平的电压泵 送单元,其中该电压泵送单元包含一用于将该高电 压传输启用讯号反相的反相器、一用于对自该反 相器之输出与该时钟讯号进行「反及」(NAND)操作 的「反及」(NAND)闸及一耦接于电容器从而用于根 据自该「反及」(NAND)闸之输出来将该放电节点之 电压增加该预定水平的第四NMOS电晶体。 6.如申请专利范围第5项之电路,其中根据该高电压 传输启用讯号来驱动该PMOS电晶体,且根据通过该 PMOS电晶体而传输之该电源电压来驱动该第三NMOS 电晶体。 图式简单说明: 图1为展示习知高电压开关电路之放电问题的波形 图; 图2为说明根据本发明之高电压开关电路的电路图 ;且 图3为展示根据本发明之高电压开关电路之电压变 化的波形图。
地址 韩国