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发明名称
半导体复合装置及其制造方法
摘要
在将半导体元件和微机电装置制作于不同之基板,在将其等复合化之模组中,会产生因晶片间之连接而导致之电力损失及寄生电容增大等之特性劣化。此亦成为阻碍模组之布局设计或尺寸缩小之要因。本发明之目的系解决此等问题。本发明藉由半导体复合装置1解决前述问题。该半导体复合装置1包含:形成于基板11之半导体元件21、形成于前述基板11上且被覆前述半导体元件21之绝缘膜41、形成于前述绝缘膜41上之微机电装置31及连接前述半导体元件21和前述微机电装置31之布线层50。
申请公布号
TW200704582
申请公布日期
2007.02.01
申请号
TW095121419
申请日期
2006.06.15
申请人
新力股份有限公司
发明人
御手洗俊;池田 浩一;多田正裕;秋叶朗;盛田伸也
分类号
B81B3/00(2006.01);H01L29/10(2006.01)
主分类号
B81B3/00(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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