| 主权项 |
1.一种半导体多层配线形成方法,系以贯通配线上 下贯穿层间绝缘层,来连接:形成在半导体基板上 之下层配线层,与其上介由层间绝缘层所形成之上 层配线层,的半导体多层配线之形成方法;其特征 为,包含有: 在上述下层配线层上至少层合由低电介质层所成 之上述层间绝缘层的层间绝缘层形成步骤;与 在上述层间绝缘层上形成光致抗蚀层,图型曝光后 ,经显像处理形成光致抗蚀图型,以此光致抗蚀图 型做为遮蔽层进行蚀刻,于上述层间绝缘层上形成 第1蚀刻空间,的第1蚀刻空间形成步骤;与 在上述层间绝缘层上,涂布至少以悬施玻璃(spin on glass)材料为主成份之埋置材料,使上述埋置材料埋 置于上述第1蚀刻空间,的埋置步骤;与 在上述层间绝缘层上形成的埋置材料层之上,以乾 式蚀刻形成可加工之防止反射膜,的防止反射膜形 成步骤;与 在上述防止反射膜上形成光致抗蚀层,于此光致抗 蚀层上用图型光照射,经硷性显像液显像,形成光 致抗蚀图型,的形成光致抗蚀图型步骤; 用上述光致抗蚀图型做为遮蔽层,以乾式蚀刻将上 述防止反射膜之露出部份加工,的防止反射膜加工 步骤;与 以上述光致抗蚀图型做为遮蔽层进行蚀刻,将上述 第1蚀刻空间之上部的上述层间绝缘层,依所定之 图型去除,与上述第1蚀刻空间连通的第2蚀刻空间, 而且同时去除上述第1蚀刻空间内之埋置材料,的 第2蚀刻空间形成及埋置材料去除步骤;与 在上述第1蚀刻空间与第2蚀刻空间同时埋置导体 材料,同时形成上述贯通配线和上层配线层,的配 线总括形成步骤;与 令防止反射膜之除去处理,除去残留之防止反射膜 下层之埋置材料,经由加以移除(Lift off)而进行之 工程。 2.如申请专利范围第1项之半导体多层配线形成方 法,其中上述悬施玻璃材料为,至少一种选自下述 (A)Si(OR1)a(OR2)b(OR3)c(OR4)d (式中,R1、R2、R3及R4分别为独立之碳原子数1~4之烷 基或苯基;a、b、c及d为0≦a≦4,0≦b≦4,0≦c≦4,0≦d ≦4,且满足a+b+c+d=4之条件的整数)所示之化合物; (B)R5Si(OR6)e(OR7)f(OR8)g (式中,R5为氢原子或碳原子数1~4之烷基;R6、R7及R8 分别为碳原子数1~3之烷基或苯基;e、f及g为0≦e≦3 ,0≦f≦3,0≦g≦3,且满足e+f+g=3之条件的整数)所示 之化合物;及 (C)R9R10Si(OR11)h(OR12)i (式中,R9及R10为氢原子或碳原子数1~4之烷基;R11及R 12分别为碳原子数1~3之烷基或苯基; h及i为0≦h≦2,0≦i≦2,且满足h+i=2之条件的整数,) 所示之化合物; 之化合物的水解者。 3.如申请专利范围第2项之半导体多层配线形成方 法,其中上述低电介质层为由至少含有甲基之Si系 材料所形成,同时上述悬施玻璃材料之含有比率, 为调制至对上述化合物(B)与上述化合物(C)之合计, 可达50重量%以上者。 4.申请专利范围第3项之半导体多层配线形成方法, 其中使用羟基倍半矽氧烷系材料做为上述Si系材 料,上述悬施玻璃材料中R5为氢原子之化合物(B)的 含有比率,调制至可达50重量%以上者。 5.如申请专利范围第1项之半导体多层配线形成方 法,其中上述悬施玻璃材料以有机溶媒溶解,该有 机溶媒为,使多价醇之羟基经烷基醚化之多价醇醚 类者。 6.如申请专利范围第1项之半导体多层配线形成方 法,其中上述防止反射膜为,由至少含有藉由外加 所定之能量,使末端基脱离而产生磺酸残基之取代 基的树脂组成份,与溶媒而成之树脂组成物所构成 者。 7.如申请专利范围第6项之半导体多层配线形成方 法,其中,前述树脂成分为,至少下述一般式(1) (式中,n为1以上之整数;X为碳原子数1~10之直链,或 者支链状的烷基链、芳香族或者脂环族之环状烷 基链、烷基酯链;Y为承受外加之所定能量产生之 磺酸残基的取代基)。 8.如申请专利范围第1项之半导体多层配线形成方 法,其中上述防止反射膜,系由含有聚钛氧烷及聚 矽氧烷之混合物,或者此等之共聚物而成之树脂组 成物,所构成者。 9.如申请专利范围第1项之半导体多层配线形成方 法,其中在形成上述第2蚀刻空间步骤之后,更包含 有以剥离液去除余留在上述第1蚀刻空间之埋置材 料,的埋置材料去除步骤。 10.一种半导体多层配线形成方法,系以贯通配线上 下贯穿层间绝缘层,来连接:形成在半导体基板上 之下层配线层,与其上介由层间绝缘层所形成之上 层配线层,的半导体多层配线之形成方法;其特征 为,包含有: 在上述下层配线层上至少层合由低电介质层所成 之上述层间绝缘层的层间绝缘层形成步骤;与 在上述层间绝缘层之上形成光致抗蚀层,图型曝光 后,经显像处理形成光致抗蚀图型,以此光致抗蚀 图型做为遮蔽层进行蚀刻,于上述层间绝缘层上形 成第1蚀刻空间,的第1蚀刻空间形成步骤;与 在上述层间绝缘层上,涂布至少以悬施玻璃材料为 主成份之埋置材料,使上述埋置材料埋置于第1蚀 刻空间,的埋置步骤;与 在上述层间绝缘层上形成的埋置材料层之上,形成 显像液可溶性之防止反射膜,的防止反射膜形成步 骤;与 在上述显像液可溶性防止反射膜上形成光致抗蚀 层,的形成光致抗蚀层步骤;与 在上述光致抗蚀层上用图型光照射,以硷性显像液 进行上述光致抗蚀层之显像,同时去除显像时余留 之不被光致抗蚀图型覆盖的上述防止反射膜之露 出部份,的抗蚀显像及防止反射膜去除步骤;与 以上述光致抗蚀图型做为遮蔽层进行蚀刻,将上述 第1蚀刻空间之上部的上述层间绝缘层,依所定之 图型去除,形成与第1蚀刻空间连通之第2蚀刻空间, 同时去除上述第1蚀刻空间内埋置材料,的第2蚀刻 空间形成及去除埋置材料去除步骤;与 上述第1蚀刻空间和第2蚀刻空间同时埋置导体材 料,同时形成上述贯通配线和上层配线层,的形成 配线总括步骤;与 除去埋置材料后,将光致抗蚀膜及防止反射膜,经 由光致抗蚀剥离剂加以除去之工程。 11.如申请专利范围第10项之半导体多层配线形成 方法,其中上述悬施玻璃材料为,至少一种选自下 述 (A)Si(OR1)a(OR2)b(OR3)c(OR4)d (式中,R1、R2、R3及R4分别为独立之碳原子数1~4之烷 基或苯基;a、b、c及d为0≦a≦4,0≦b≦4,0≦c≦4,0≦d ≦4,且满足a+b+c+d=4之条件的整数,)所示之化合物; (B)R5Si(OR6)e(OR7)f(OR8)g (式中,R5为氢原子或碳原子数1~4之烷基;R6、R7及R8 分别为碳原子数1~3之烷基或苯基;e、f及g为0≦e≦3 ,0≦f≦3,0≦g≦3,且满足e+f+g=3之条件的整数,)所示 之化合物;及 (C)R9R10Si(OR11)h(OR12)i (式中,R9及R10为氢原子或碳原子数1~4之烷基;R11及R 12分别为碳原子数1~3之烷基或苯基; h及i为0≦h≦2,0≦i≦2,且满足h+i=2之条件的整数,) 所示之化合物; 之化合物的水解者。 12.如申请专利范围第11项之半导体多层配线形成 方法,其中上述低电介质层为由至少含有甲基之Si 系材料所形成,同时上述悬施玻璃材料之含有比率 ,为调制至对上述化合物(B)与上述化合物(C)之合计 ,可达50%以上者。 13.如申请专利范围第12项之半导体多层配线形成 方法,其中使用羟基倍半矽氧烷系材料做为上述Si 系材料,上述悬施玻璃材料中R5为氢原子之化合物( B)的含有比率,为调制至可达50重量%以上者。 14.如申请专利范围第10项之半导体多层配线形成 方法,其中上述悬施玻璃材料以有机溶媒溶解,该 有机溶媒为,使多价醇之羟基经烷基醚化之多价醇 醚类者。 15.如申请专利范围第10项之半导体多层配线形成 方法,其中在形成上述第2蚀刻空间步骤之后,更包 含有以剥离液去除余留在上述第1蚀刻空间之埋置 材料,的埋置材料去除步骤。 图式简单说明: 图1A~1D为采用双镶嵌制程之已往半导体多层配线 形成方法的前半段步骤示意说明图。 图2A~2D为采用双镶嵌制程之已往半导体多层配线 形成方法的前半段步骤示意说明图。 图3A~3D为采用双镶嵌制程之本发明第1半导体多层 配线形成方法的前半段步骤示意说明图。 图4A~4D为采用双镶嵌制程之本发明第1半导体多层 配线形成方法的后半段步骤示意说明图。 图5A~5D为采用双镶嵌制程之本发明第2半导体多层 配线形成方法的前半段步骤示意说明图。 图6A~6D为采用双镶嵌制程之本发明第2半导体多层 配线形成方法的后半段步骤示意说明图。 |
