| 发明名称 | 硅酸钆单晶体的生长方法 | ||
| 摘要 | 一种硅酸钆单晶体的生长方法，其特征在于该方法的关键是在提拉法生长硅酸钆单晶体的收尾阶段采用如下程序：在GSO或者Ce∶GSO晶体生长后期，即晶体等径部分的长度达到预定尺寸后，按5—50℃/h的升温程序进行晶体的升温生长，晶体的直径逐渐变细，待晶体尾部直径达到与籽晶尺寸相同时，恒温生长约5—30mm长度后，再开始采用缓慢的降温程序将GSO或者Ce∶GSO晶体降至室温，最后取出GSO或者Ce:GSO晶体。本发明一方面避免了单晶生长结束时快速提拉或手动提拉造成晶体的开裂；另一方面，由于收尾程序使晶体尾部的形状与肩部对称一致，极大地提高了晶体散热的均匀性，减少了GSO或者Ce∶GSO晶体的开裂和解理的几率。从而极大地提高了GSO和Ce∶GSO等晶体的成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN1295386C | 申请公布日期 | 2007.01.17 |
| 申请号 | CN200310108771.4 | 申请日期 | 2003.11.21 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 赵广军;徐军;何晓明;介明印;曾雄辉;张连翰;周圣明;庞辉勇;周国清 |
| 分类号 | C30B15/00(2006.01);C30B29/34(2006.01) | 主分类号 | C30B15/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种硅酸钆单晶体的生长方法，其特征在于该方法的关键是在提拉法生长硅酸钆单晶体的收尾阶段采用如下程序：在GSO或者Ce:GSO晶体生长后期，即晶体等径部分的长度达到预定尺寸后，按5-50℃/h的升温程序进行晶体的升温生长，晶体的直径逐渐变细，待晶体尾部直径达到与籽晶尺寸相同时，恒温生长约5-30mm长度后，再开始采用缓慢的降温程序将GSO或者Ce:GSO晶体降至室温，最后取出GSO或者Ce:GSO晶体。 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||