以有机金属化学气相沈积(MOCVD)执行平面、非极性{1-100}M-平面氮化镓之生长

摘要

本发明系关于一种使用有机金属化学气相沈积(MOCVD)来生长诸如m–平面氮化镓(GaN)磊晶层之平面、非极性m–平面III–氮化物材料之方法，其中该III–氮化物材料生长于诸如m–平面碳化矽(m–SiC)基板之一适当基板上。该方法包括：对该基板执行溶剂清洁及酸浸渍以自表面移除氧化物；对该基板进行退火；在该经退火基板上生长一晶核层，诸如氮化铝(AlN)；及使用MOCVD在该晶核层上生长非极性m–平面III–氮化物磊晶层。