| 主权项 |
1.一种从含CF4的气体移除不纯物C2F6之方法,其中该 含CF4的气体系与吸附剂床中的吸附剂接触以选择 性地吸附C2F6,并且从该吸附剂床的流出物回收CF4, 此改良之处包含以下的步骤: 使该含CF4的气体(含C2F6不纯物)与吸附床中具有43 至55之CCl4活性的活性碳接触而有效进行该C2F6不纯 物之吸附;以及, 从该吸附床的流出物回收经纯化的CF4产物。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该含CF4的气体 含有约500至5000 ppm之C2F6不纯物。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中该活性碳具有 直径0.5至3毫米的颗粒大小。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中该吸附剂床系 于温度介于0至100℃以及进入该吸附床的原料压力 介于1至20绝对大气压下操作。 5.如申请专利范围第2项之方法,其中增进CF4的回收 量系于C2F6脱附之前,先使洗净气体通过该吸附床 以选择性地脱附CF4而达成。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中该洗净气体系 氮气。 7.如申请专利范围第6项之方法,其中该吸附床中存 留的CF4系于0.1至2大气压之压力及50至300℃之温度 下脱附。 8.一种从含CF4的气体移除不纯物C2F6之方法,其中该 含CF4的气体系与吸附剂床中的吸附剂接触以选择 性地吸附C2F6,并且从该吸附剂床的流出物回收CF4, 此改良之处包含以下的步骤: 使该含CF4的气体(含C2F6不纯物)与吸附床中具有每 克活性碳对于C2F6之吸附容量为至少0.015毫莫耳的 活性碳接触而有效进行该C2F6不纯物之吸附;以及, 从该吸附床的流出物回收经纯化的CF4产物。 9.如申请专利范围第8项之方法,其中该含CF4的气体 含有约500至5000 ppm之C2F6不纯物。 10.如申请专利范围第8项之方法,其中该活性碳对 于C2F6具有每克活性碳至少0.02至0.03毫莫耳C2F6之吸 附容量。 图式简单说明: 第1图为活性碳的C2F6吸附作用与该活性碳吸附剂 的CCl4活性之间的关系图。 |
