| 主权项 |
1.一种固体摄像元件的制造方法,其特征在于具有 如下工序: 于半导体基体内形成复数之光电变换元件; 于前述半导体基体之表面侧,形成在绝缘层中具有 配线层之配线部; 于前述配线部之更表面侧,形成包含可以低于前述 配线层之劣化开始温度的温度进行硬化之材料之 接着剂层,以低于前述配线层之劣化开始温度的温 度进行热处理,俾介由前述接着剂层而贴合支撑基 板; 使前述半导体基体从背面侧薄层化。 2.如请求项1之固体摄像元件的制造方法,其中以涂 布膜形成前述接着剂层。 3.如请求项1之固体摄像元件的制造方法,其中以CVD 法形成前述接着剂层。 4.如请求项1之固体摄像元件的制造方法,其中系使 用溅镀法形成金属膜后,以贴合前述支撑基板之工 序的热处理,再使之金属矽化物化而形成前述接着 剂层。 5.一种固体摄像元件,其特征在于:于半导体基体内 形成有复数之光电变换元件; 于前述半导体基体之表面侧,形成有在绝缘层中具 有配线层之配线部; 于前述配线部之更表面侧,介由接着剂层而贴合支 撑基板; 前述接着剂层乃以低于前述配线层之劣化开始温 度的温度,进行硬化之材料所形成者。 6.一种半导体积体电路装置的制造方法,其特征在 于具有如下工序: 于半导体基体形成电路元件; 于前述半导体基体之表面侧,形成在绝缘层中具有 配线层之配线部; 于前述配线部之更表面侧,形成包含可以低于前述 配线层之劣化开始温度之温度进行硬化之材料之 接着剂层,以低于前述配线层之劣化开始温度的温 度进行热处理,俾介由前述接着剂层而贴合基板。 7.如请求项6之半导体积体电路装置的制造方法,其 中以涂布膜形成前述接着剂层。 8.如请求项6之半导体积体电路装置的制造方法,其 中以CVD法形成前述接着剂层。 9.如请求项6之半导体积体电路装置的制造方法,其 中系使用溅镀法形成金属膜后以贴合前述支撑基 板之工序的热处理,再使之金属矽化物化而形成前 述接着剂层。 10.如请求项6之半导体积体电路装置的制造方法, 其中使贴合前述基板之工序后,进行使前述半导体 基体从背面侧薄层化之工序。 11.如请求项6之半导体积体电路装置的制造方法, 其中前述基板系于前述半导体基体上形成有电路 元件,于前述半导体基体之表面侧形成在绝缘层中 具有配线层之配线部。 12.一种半导体积体电路装置,其系于半导体基体内 形成有电路元件; 于前述半导体基体之表面侧,形成有在绝缘层中具 有配线层之配线部; 于前述配线部之更表面侧,介由接着剂层而贴合有 支撑基板; 前述接着剂层乃以低于前述配线层之劣化开始温 度的温度而硬化之材料所形成者。 13.如请求项12之半导体积体电路装置,其中前述基 板系于前述半导体基体上形成有电路元件,于前述 半导体基体之表面侧形成有在绝缘层中具有配线 层之配线部。 图式简单说明: 图1系表示本发明之固体摄像元件的一实施形态之 概略剖面图。 图2系图1之重要部分的扩大剖面图。 图3A~C系用以说明交联反应进行之图。 图4A~C系表示图1及图2之固体摄像元件的制造方法 之制造工序图(其1)。 图5D~E系表示图1及图2之固体摄像元件的制造方法 之制造工序图(其2)。 图6F~G系表示图1及图2之固体摄像元件的制造方法 之制造工序图(其3)。 图7系表示本发明之固体摄像元件的一实施形态之 概略剖面图。 图8A,B系图7之重要部分的扩大剖面图。 图9A~C系表示图7及图8之半导体积体电路装置的制 造方法之制造工序图(其1)。 图10D~E系表示图7及图8之半导体积体电路装置的制 造方法之制造工序图(其2)。 图11F~G系表示图7及图8之半导体积体电路装置的制 造方法之制造工序图(其3)。 图12系表示本发明之半导体积体电路装置的另一 实施形态之概略剖面图。 图13系表示本发明之半导体积体电路装置的再另 一实施形态之概略剖面图。 图14之8A,8B系表示本发明之半导体积体电路装置的 另一形态之概略剖面图。 图15A~C系表示习知之固体摄像元件的制造方法之 制造工序图(其1)。 图16D~F系表示习知之固体摄像元件的制造方法之 制造工序图(其2)。 |
