| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离方法,该方法包含:预备一基板,其包含在其上形成平台结构;在该平台结构上形成一障壁盖;在该平台及障壁盖之上形成一多层结构,其中在该多层结构中的叠层具有不同的研磨速率,包含沉积一具有一高研磨速率的第一氧化层;沉积一具有一低研磨速率的第二氧化层;及沉积具有一高研磨速率的第三氧化层;以及研磨该结构到该障壁盖的高度。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该研磨包括:研磨具有一非选择性研磨的结构来移除该第三氧化层及该第二氧化层的部份,及研磨具有一选择性研磨的结构来移除该第二氧化层及该第一氧化层的部份。3.如申请专利范围第2项之方法,其中研磨具有一非选择性研磨之结构包含利用一硷性矽石研浆来研磨该结构。4.如申请专利范围第2项之方法,其中研磨具有一选择性研磨之结构包含利用一氧化铈研浆来研磨该结构。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该沉积具有一高研磨速率之第一氧化层包含沉积一具有研磨速率在50nm/min到500nm/min之间的氧化物。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该沉积具有一低研磨速率之第二氧化层包含沉积一具有研磨速率在10nm/min到50nm/min之间的氧化物。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该沉积具有一高研磨速率之第三氧化层包含沉积一具有研磨速率在50nm/min到500nm/min之间的氧化物。8.如申请专利范围第1项之方法,其中在该平台结构上形成一障壁盖之步骤包含在该平台结构上形成一层氮化矽。9.如申请专利范围第2项之方法,其进一步包含移除该氮化矽障壁盖。10.如申请专利范围第1项之方法,其中在该平台结构上形成一障壁盖之步骤包含在该平台结构上形成一层多晶矽。11.一种浅沟渠隔离方法,该方法包含:预备一基板,其包含在其上形成平台结构;在该平台结构上形成一障壁盖;在该平台及障壁盖之上形成一氧化物多重层结构,其包含:沉积具有一高研磨速率的第一氧化层;沉积具有一低研磨速率的第二氧化层;及沉积具有一高研磨速率的第三氧化层;及研磨该结构到该障壁盖的高度。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该研磨包括:研磨具有一非选择性研磨的结构来移除该第三氧化层及该第二氧化层的部份,及研磨具有一选择性研磨的结构来移除该第二氧化层及该第一氧化层的部份。13.如申请专利范围第12项之方法,其中研磨具有一非选择性研磨之结构之步骤包含利用一硷性矽石研浆研磨该结构。14.如申请专利范围第12项之方法,其中研磨具有一选择性研磨之结构之步骤包含利用一氧化饰研浆来研磨该结构。15.如申请专利范围第11项之方法,其中该沉积具有一习用研磨速率之第一氧化层之步骤包含沉积一具有研磨速率在50nm/min到500nm/min之间的氧化物。16.如申请专利范围第11项之方法,其中该沉积具有一低研磨速率之第二氧化层之步骤包含沉积一具有研磨速率在10nm/min到50nm/min之间的氧化物。17.如申请专利范围第11项之方法,其中该沉积具有一高研磨速率之第三氧化层之步骤包含沉积一具有研磨速率在50nm/min到500nm/min之间的氧化物。18.如申请专利范围第11项之方法,其中在该平台结构上形成一障壁盖之步骤包含在该平台结构上形成一层氮化矽。19.如申请专利范围第18项之方法,其进一步包含移除该氮化矽障壁盖。20.如申请专利范围第11项之方法,其中在该平台结构上形成一障壁盖之步骤包含在该平台结构上形成一层多晶矽。21.一种此沟渠隔离方法,该方法包含:预备一基板,其包含在其上形成平台结构;在该平台结构上由一位障材料形成一障壁盖,其由氮化矽及多晶矽所构成的位障材料群组中取用的一位障材料;在该平台及障壁盖之上形成一氧化物多重层结构,其包含:沉积一具有研磨速率在50nm/min到500nm/min之间的第一氧化层;沉积一具有研磨速率在10nm/min到50nm/min之间的第二氧化层;及沉积一具有研磨速率在50nm/min到500nm/min之间的第三氧化层;及研磨该结构到该障壁盖的高度;其包含:研磨具有一非选择性研磨的结构来移除该第三氧化层及该第二氧化层的部份;及研磨具有一选择性研磨的结构来移除该第二氧化层及该第一氧化层的部份。22.如申请专利范围第21项之方法,其中研磨具有一非选择性研磨之结构之步骤包含利用一硷性矽石研浆研磨该结构。23.如申请专利范围第21项之方法,其中研磨具有一选择性研磨之结构之步骤包含利用一氧化铈研浆来研磨该结构。图式简单说明:图1所示为PECVD二氧化矽的研磨速率。图2所示为不同的Si-H键结的密度相对于波长的关系。图3所示为氧化物的三明治结构。图4及5所示为根据本发明之方法来制造一积体电路装置之连续的步骤。 |
