摘要 |
<p>Bekannte einseitig kontaktierte Solarzellen mit beiden Kontaktierungssystemen auf einer Seite der Absorberschicht weisen bezüglich der Emitterschicht und der Kontaktierungssysteme besondere Strukturen auf, die aufwändige Strukturierungsschritte erforderlich machen. Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht eine einseitige Kontaktierung, ohne eine Strukturierung der Absorberschicht oder der Emitterschicht vornehmen zu müssen. Es eignet sich gleichermaßen zur Herstellung von Vorder- oder Rückseitenkontaktierungen. Es sieht eine direkte Anordnung eines Kontaktgitters (KG) auf einer Seite der Absorberschicht (AS) vor (Vorderseitenkontaktierung, Rückseitenkontaktierung). Das Kontaktgitter (KG) wird anschließend auf seiner gesamten freien Oberfläche mit einer elektrisch nicht leitenden Isolationsschicht (IS) überzogen. Nachfolgend wird ganzflächig die Emitterschicht (ES) abgeschieden, sodass das Kontaktgitter (KG) zwischen der Absorberschicht (AS) und der Emitterschicht (ES) liegt. Die Emitterschicht (ES) wird dann flächig von einer Kontaktschicht (KS) belegt. Bei der Rückseitenkontaktierung ist die Emitterschicht (ES) ebenfalls auf der Rückseite (OSA) der Absorberschicht (AS) angeordnet, so dass zusätzliche Absorptionsverluste vermieden werden. Es können sowohl waferbasierte Dickschicht- als auch Dünnschicht-Solarzellen (HKS) hergestellt werden.</p> |
申请人 |
HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH;STANGL, ROLF;KUNST, MARINUS;LIPS, KLAUS;SCHMIDT, MANFRED;SCHNEIDER, JENS;WUENSCH, FRANK |
发明人 |
STANGL, ROLF;KUNST, MARINUS;LIPS, KLAUS;SCHMIDT, MANFRED;SCHNEIDER, JENS;WUENSCH, FRANK |