用于微电子互连之合金底层

摘要

制造具有同时作为阻障层与种子层之底层的微电子互连之设备与方法。底层系藉由共同沉积贵金属以及诸如耐火金属之阻障材料所形成，或在贵金属与阻障材料两个分别的沉积之后进行的诸如热退火之热后处理期间形成，其中贵金属与阻障材料系实质上可溶于彼此中。在底层中使用阻障材料能防止互连导电材料之电子迁移，并且于底层中使用贵金属可允许直接镀上互连导电材料。