Method of manufacturing CMOS image sensor having high k insulator,申请号KR20040106130-传众专利搜索

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发明名称	Method of manufacturing CMOS image sensor having high k insulator
摘要
申请公布号	KR100641993(B1)	申请公布日期	2006.11.02
申请号	KR20040106130	申请日期	2004.12.15
申请人		发明人
分类号	H01L27/146;H01L31/10	主分类号	H01L27/146
代理机构		代理人
主权项
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