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La tranche sSOI comprend une tranche substrat à surface portant une couche de silicium tendue, la raie des phonons de silicium de la couche de silicium tendue différant, à température ambiante, dans le spectre Raman, d'au moins 2 cm<-1> de la raie des phonons du silicium non tendu, et la couche de silicium tendue présente une épaisseur de 50 nm ou moins, une uniformité d'épaisseur de couche (6sigma) de 5 % ou moins et une densité de défauts HF de 1/cm<2> ou moins.
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