| 主权项 |
1.一种发光装置之制造方法,用于制造至少包括n型半导体层及p型半导体层之发光层积层于透明晶体基板上之发光装置,包括下列步骤:至少于上述透明晶体基板或上述发光层之一部分形成转写层,当有能量提供给上述转写层时,上述转写层软化或固化;将形成有微小凹凸结构之模具按压在上述转写层上,而使微小凹凸结构被转写至上述转写层之外表面;以及基于被转写至上述转写层之上述微小凹凸结构,形成用以防止多重反射之微小凹凸结构。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中于上述发光层中形成上述微小凹凸结构形成步骤,还包括在欲形成电极之上述发光层之表面上形成基板承载层之后,将上述透明晶体基板与上述发光层分离之步骤。3.如申请专利范围第1或2项所述之制造方法,其中上述转写层形成步骤包括,将矽有机溶剂至少涂敷于上述透明晶体基板或上述发光层之一部分而形成上述转写层之步骤;上述防止多重反射之微小凹凸结构形成之步骤包括将上述转写层作为抗蚀剂遮罩,采用氯气乾式蚀刻上述转写层,从而在上述透明晶体基板或上述发光层形成用以防止多重反射之上述微小凹凸结构。4.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中于发光层形成用以防止多重反射之微小凹凸结构之步骤包括将一模具按压在上述转写层上其中上述模具具有一上平坦部分,其位于用以防止多重反射之微小凹凸结构底部附近,以及一下平坦部分,其位于从此上平坦部向下约有上述发光层之上半导体层厚度之位置,而将上平坦部分与下平坦部分连同上述微小凹凸结构一起转写至上述转写层,当使用上述转写层作为一抗蚀剂遮罩进行乾式蚀刻时,藉由蚀刻上述发光层之上部及下部半导体层而形成电极形成部分之步骤。5.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中上述蚀刻步骤包括选择比率调整步骤,将发光层之蚀刻速度相对于抗蚀剂之蚀刻速度之选择比率调整到两倍至四倍。6.如申请专利范围第1或2项所述之制造方法,其中涂敷上述矽有机溶剂以形成转写层之步骤包括藉由灌注或喷涂来涂敷矽有机溶剂之步骤。7.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中上述模具之按压压力为大于等于5Mpa及小于等于150MPa。8.如申请专利范围第3项所述之制造方法,还包括于上述发光层形成用以防止多重反射之微小凹凸结构之后,执行在上述发光层之微小凹凸结构上形成大于上述微小凹凸结构之凹凸结构之步骤。9.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中上述凹凸结构具有棱镜或微透镜形状。10.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中涂敷上述矽有机溶剂以形成转写层之步骤包括藉由灌注或喷涂来涂敷矽有机溶剂之步骤。图式简单说明:图1系使用本发明第一实施例之制造方法所制造发光装置之剖视图。图2系使用本发明第二实施例之制造方法所制造发光装置之剖视图。图3系使用本发明第二实施例之制造方法所制造发光装置变形例之剖视图。图4A至4F系第一实施例之形成微小凹凸结构于透明晶体基板中之制造方法操作步骤之示意图。图5系说明发光装置制造方法之操作步骤概况之流程图。图6A至6C系说明本发明一实施例使用模具之发光装置制造工序之立体图,其中图6B1系图6B之剖视图,图6C1系图6C之剖视图。图7A至7C系说明本发明另一实施例使用模具之发光装置制造工序之立体图,其中图7B1系图7B之剖视图,图7C1系图7C之剖视图。图8A与8B系说明本发明一实施例之发光装置制造工序之立体图,其中图8C系图8B之剖视图。图9A与9B系说明本发明另一实施例之发光装置制造工序之立体图,其中图9C系图9B之剖视图。图10A至10E系说明第一实施例之形成微小凹凸结构于半导体层中之制造方法操作步骤之示意图。图11A至11I系说明本发明第二实施例之发光装置制造方法操作步骤之示意图。图12A至12D系说明本发明第二实施例之发光装置制造方法之示意图,其中蚀刻步骤中包括调整选择比率之步骤。图13A至13F系说明本发明第二实施例之发光装置制造方法之示意图,其中藉由涂敷矽有机溶剂以形成转写层之步骤中包括藉由灌注或喷涂来涂敷矽有机溶剂之步骤。图14A与14B系说明本发明第二实施例之发光装置制造方法之示意图,其中在将模具之微小凹凸结构转写至转写层之后,在乾式蚀刻前执行后烘焙(post-baking)之步骤。图15A至15D系说明发光装置制造方法之制造工序示意图,其中包括在发光层之防止多重反射微小凹凸结构上形成大于该微小凹凸结构之凹凸结构之步骤。图16A与16B系发光装置之剖视图,其中图15A至15D所示之凹凸结构分别呈棱镜形及微透镜形。 |
